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ReferenzdesignEVAL-LT8349-BZ | Demoboard EVAL-LT8349-BZ

Analog Devices EVAL-LT8349-BZ | Demoboard EVAL-LT8349-BZ

Evaluates: LT8349 in 6V Output Voltage Application

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.5-5.5 V
Schaltfrequenz300-4000 kHz
Ausgang 18 V / 6 A

Beschreibung

The EVAL-LT8349-BZ evaluation board provides a proven design to evaluate the LT8349, 2-Phase low IQ, synchronous boost converter. The application circuit is configured to demonstrate optimum performance and component size. Using the board layout example, optimized for conducted, radiated EMI, and thermal performance, will help ensure the designer sees similar performance in their system.The evaluation board is configured to run at 2MHz per phase with a 6V output voltage from an input voltage range of 2.5V to 4.5V and deliver up to 5A load current when VIN is 4.5V.The evaluation board features an adjustable input undervoltage-lockout, external clock synchronization, thermal shutdown, selectable mode of operation and selectable Burst Mode peak current.

Eigenschaften

Input Voltage Range: 2.5V to 4.5V6V Output VoltageUp to 5A Load Current at 4.5V input voltage2MHz (per phase) Switching FrequencyHigh 97.1% Efficiency (VIN = 4.5V, IOUT = 1A)Enable/UVLO Input, Resistor-Programmable UVLO ThresholdSelectable Mode of operationSelectable Burst Mode Peak Current (IPK_BURST) levels for optimization of performanceExternal Frequency SynchronizationExternal CompensationOvertemperature ProtectionProven Printed Circuit Board (PCB) LayoutFully Assembled and TestedComplies with CISPR32 (EN55032) Class B Conducted and Radiated Emissions

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Von Analog Devices freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(A)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744383360047
SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 7.55 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom7.55 A
Sättigungsstrom @ 30%9.8 A
Gleichstromwiderstand18 mΩ
Eigenresonanzfrequenz99 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
–
–
–
Nennstrom4.8 A
–
Höhe2 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
74279226101
SPECWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead
–
–
–
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
–
–
MontageartSMT 
Impedanz @ 100 MHz100 Ω
Maximale Impedanz160 Ω
Maximale Impedanz1100 MHz 
Nennstrom8 A
Impedanz @ 1 GHz150 Ω
Höhe2.3 mm
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen