IC-Hersteller Analog Devices
IC-Hersteller (103)
- Alle Hersteller
Analog Devices
Infineon Technologies
Microchip
Onsemi
Renesas
ROHM
STMicroelectronics
Texas Instruments
- 3peak incorporated (28)
- Ablic (23)
- Acco Semiconductor (1)
- Advanced Power (4)
- Allegro Microsystems (100)
- Alpha & Omega Semiconductor (37)
- AnalogySemi (3)
- AnDAPT Inc (204)
- Anpec (13)
- AXElite (2)
- Backward (6)
- Bright Power Semiconductor (1)
- Broadcom (46)
- Cambridge GaN Devices (18)
- Chipanalog Micro (10)
- Cologne Chips (1)
- Convenient Power (1)
- Dialog Semiconductor (12)
- Diodes Incorporated (259)
- Divimath (8)
- Elmos AG (1)
- EPC (136)
- e-Peas Semiconductors (1)
- Eta Solutions Co. Ltd. (9)
- GaN Systems (8)
- GaNPower (3)
- Giantec (1)
- Gstek Wuxi (1)
- Helix Semiconductor (7)
- IKON (1)
- Indie Semiconductor (8)
- Innovision Semiconductor Inc (2)
- Intel (68)
- Inventchip Technology (3)
- ISSI (51)
- JoulWatt (20)
- KDPOF (3)
- Kinetic Technology (8)
- Lattice semiconductor Corporation (38)
- Littelfuse (1)
- Lumissil Microsystems (8)
- M3 Technology (M3Tek) (7)
- Macnica (22)
- Marvell Semiconductor (1)
- MaxLinear (181)
- Menlo Micro (1)
- MikroE (25)
- MindCet (2)
- Monolithic Power Systems (980)
- Navitas Semiconductor Inc (6)
- NewEdge Technologies, Inc. (1)
- Nexperia (266)
- Nisshinbo Micro Device Inc. (10)
- Novosense Micro (1)
- NXP (333)
- O2 Micro International Ltd (10)
- On Bright (7)
- Panasonic (2)
- PN Junction Semiconductor (2)
- Power Integrations (117)
- Powermat (1)
- Pulsiv (19)
- Qorvo (96)
- Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics (1)
- Richtek (297)
- Sanken Electric Co., Ltd. (16)
- Sckipio (6)
- Semtech (86)
- SG-Micro (54)
- SiFive (2)
- Silanna Semiconductor (9)
- Silergy Corporation (33)
- Silicon Laboratory Inc. (108)
- Silicontent Technology (59)
- Silvertel (59)
- Skycore Semiconductors (1)
- Skyworks (33)
- Southchip (14)
- Summit Wireless (1)
- Tagore Tech (7)
- Taiwan Semiconductor (1)
- TDK Corporation (1)
- Tempo Semiconductor (1)
- Torex (37)
- Toshiba (25)
- Transphorm (21)
- TransSIP (2)
- Union (21)
- uPI Semiconductor (2)
- Valens Semiconductor (31)
- Wise Integration (3)
- Wolfspeed (23)
- Xilinx (22)
- XL Semiconductor (3)
- XYSemi (62)
Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 3.2-36 V |
| Ausgang 1 | 60 V / 1 A |
Beschreibung
The ADPL26001 is a current-mode DC/DC converter capable of generating either positive or negative output voltages using a single feedback pin. It can be configured as a boost, single-ended primary inductance converter (SEPIC), or inverting converter consuming as low as 6μA of quiescent current. Low ripple Burst Mode operation maintains high efficiency down to very low output currents while keeping the output ripple below 15mV in a typical application. The internally compensated current-mode architecture results in stable operation over a wide range of input and output voltages. Integrated soft-start and frequency foldback functions are included to control inductor current during start-up. The ADPL26001 comes in small package options that combined with a high switching frequency of 2MHz, helps to maintain a small footprint for an overall efficient, space-saving and cost-effective solution.
Eigenschaften
- 3.2V to 36V Input Voltage Range
- Low Quiescent Current and Low Ripple Burst Mode® Operation: IQ = 6μA
- 1A, 60V Power Switch
- Positive or Negative Output Voltage Programming with a Single Feedback Pin
- Fixed 2MHz Switching Frequency
- Accurate 1.6V EN/UVLO Pin Threshold
- Internal Compensation and Soft-Start
- Low Profile (1mm) ThinSOT™ Package
Typische Anwendungen
- Industrial
- Telecom
- Portable Electronics
- Medical Diagnostic Equipment
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | L1(µH) | L2(µH) | n | IR 1(A) | IR 2(A) | ISAT 1(A) | ISAT1(A) | ISAT2(A) | RDC1 typ(mΩ) | RDC2 typ(mΩ) | RDC1 max(mΩ) | RDC2 max(mΩ) | fres 1(MHz) | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 5.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom5.15 A | Sättigungsstrom @ 30%10 A | Gleichstromwiderstand36 mΩ | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
 | WE-TDC SMT-Doppeldrossel, 2.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TDC SMT-Doppeldrossel | Induktivität2.7 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | – | – | Induktivität 12.7 µH | Induktivität 22.7 µH | Übersetzungsverhältnis1:1 | Nennstrom 11.85 A | Nennstrom 21.85 A | Sättigungsstrom [1]3 A | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom 23 A | Gleichstromwiderstand 169.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 269.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 180.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 280.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz [1]65 MHz | ||||
| WE-TDC SMT-Doppeldrossel, 4.7 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TDC SMT-Doppeldrossel | Induktivität4.7 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | – | – | Induktivität 14.7 µH | Induktivität 24.7 µH | Übersetzungsverhältnis1:1 | Nennstrom 11.85 A | Nennstrom 21.85 A | Sättigungsstrom [1]4.2 A | Sättigungsstrom 14.2 A | Sättigungsstrom 24.2 A | Gleichstromwiderstand 154.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 254.5 mΩ | Gleichstromwiderstand 164 mΩ | Gleichstromwiderstand 264 mΩ | Eigenresonanzfrequenz [1]30 MHz | ||||
 | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom1.75 A | Sättigungsstrom @ 30%3.1 A | Gleichstromwiderstand250 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | – | ||||
| WE-TDC SMT-Doppeldrossel, 6.8 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TDC SMT-Doppeldrossel | Induktivität6.8 µH | – | – | – | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | – | – | Induktivität 16.8 µH | Induktivität 26.8 µH | Übersetzungsverhältnis1:1 | Nennstrom 11.45 A | Nennstrom 21.45 A | Sättigungsstrom [1]3.2 A | Sättigungsstrom 13.2 A | Sättigungsstrom 23.2 A | Gleichstromwiderstand 188 mΩ | Gleichstromwiderstand 288 mΩ | Gleichstromwiderstand 1100 mΩ | Gleichstromwiderstand 2100 mΩ | Eigenresonanzfrequenz [1]25 MHz |