IC-Hersteller Analog Devices

IC-Hersteller (103)

Analog Devices ADP1614

650 kHz/1.3 MHz, 4 A, Step-Up, PWM, DC-to-DC Switching Converter

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.5-5.5 V
Schaltfrequenz650-1300 kHz
Ausgang 120 V / 4 A
IC-RevisionB

Beschreibung

The ADP1614 is a step-up, dc-to-dc switching converter with an integrated power switch capable of providing an output voltage as high as 20 V. The ADP1614 is available with a pin-adjustable current limit that is set via an external resistor. The boost switching frequency is fixed to either 650 kHz or 1.3 MHz. With a package height of 0.8 mm, the ADP1614 is optimal for space constrained applications, such as portable devices or thin film transistor (TFT) liquid crystal displays (LCDs).

The ADP1614 operates in current-mode pulse-width modulation (PWM) with up to 94% efficiency. Adjustable soft start prevents inrush currents when the part is enabled. The PWM current-mode architecture allows excellent transient response, easy noise filtering, and the use of small, cost-saving external inductors and capacitors. Other key features include undervoltage lockout (UVLO), thermal shutdown (TSD), and logic controlled enable.

The ADP1614 is available in a Pb-free, 10-lead lead frame chip scale package (LFCSP).

Eigenschaften

  • Adjustable and fixed current-limit options-Adjustable up to 4 A

    -Fixed 3 A

  • 2.5 V to 5.5 V input voltage range
  • 650 kHz or 1.3 MHz fixed frequency option
  • Adjustable output voltage, up to 20 V
  • Adjustable soft start
  • Undervoltage lockout
  • Thermal shutdown
  • 3 mm × 3 mm, 10-lead LFCSP
  • Supported by ADIsimPower design tool

Remarks:Inductors smaller than the 4.7 μH to 22 μH recommendedRefer page no.14

Typische Anwendungen

  • TFT LCD bias supplies
  • Industrial instrumentation equipment
  • Portable applications

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
Muster
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom4.8 A
Sättigungsstrom4.3 A
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Bauform8043 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom4.6 A
Sättigungsstrom4.2 A
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Bauform1028 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom4 A
Sättigungsstrom6 A
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand31 mΩ
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom7 A
Sättigungsstrom8 A
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand12.4 mΩ
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom8 A
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand19.5 mΩ
Bauform1045 
VersionSMT 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom9.5 A
Sättigungsstrom7.6 A
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Bauform1064 
VersionSMT 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom6 A
Eigenresonanzfrequenz41 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand17 mΩ
Bauform1054 
MaterialNiZn 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.9 µH
Eigenresonanzfrequenz56 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom8.3 A
Gleichstromwiderstand15.95 mΩ
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%6.5 A
Gleichstromwiderstand14.5 mΩ
MaterialSuperflux 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5 µH
Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom5.5 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand22 mΩ
Bauform1038 
VersionSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom6.6 A
Gleichstromwiderstand23.65 mΩ
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30%6 A
Gleichstromwiderstand21.5 mΩ
MaterialSuperflux 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.6 µH
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand33.22 mΩ
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12.2 A
Sättigungsstrom @ 30%4.8 A
Gleichstromwiderstand28.2 mΩ
MaterialSuperflux 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 5.05 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom5.05 A
Sättigungsstrom5.8 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand28.6 mΩ
Bauform1045 
VersionSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.5 µH
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom5.3 A
Gleichstromwiderstand35.75 mΩ
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12 A
Sättigungsstrom @ 30%4.5 A
Gleichstromwiderstand30.5 mΩ
MaterialSuperflux 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.4 A
Sättigungsstrom2.8 A
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform8043 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom2.5 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand53 mΩ
Bauform1028 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform1038 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom5 A
Eigenresonanzfrequenz20.5 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand27 mΩ
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.3 A
Sättigungsstrom2.95 A
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand70 mΩ
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.98 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom2.98 A
Sättigungsstrom3.24 A
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand60 mΩ
Bauform1054 
MaterialNiZn 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom5.3 A
Gleichstromwiderstand36.3 mΩ
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom @ 30%4 A
Gleichstromwiderstand33 mΩ
MaterialSuperflux 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 11 µH, 6.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 µH
Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom5.3 A
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand15.8 mΩ
Bauform1064 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.8 A
Sättigungsstrom2.3 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand55 mΩ
Bauform8043 
VersionSMT 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom3 A
Sättigungsstrom3.25 A
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand50 mΩ
Bauform1038 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom4.1 A
Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 5.45 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom5.45 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand25.8 mΩ
Bauform1064 
VersionSMT 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.93 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom1.93 A
Sättigungsstrom2.23 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Bauform7850 
WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom2.47 A
Sättigungsstrom2.88 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand80 mΩ
Bauform1054 
MaterialNiZn 
WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom3.5 A
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand37.3 mΩ
Bauform1064 
VersionSMT