| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.5-5.5 V |
| Schaltfrequenz | 650-1300 kHz |
| Ausgang 1 | 20 V / 4 A |
| IC-Revision | B |
The ADP1614 is a step-up, dc-to-dc switching converter with an integrated power switch capable of providing an output voltage as high as 20 V. The ADP1614 is available with a pin-adjustable current limit that is set via an external resistor. The boost switching frequency is fixed to either 650 kHz or 1.3 MHz. With a package height of 0.8 mm, the ADP1614 is optimal for space constrained applications, such as portable devices or thin film transistor (TFT) liquid crystal displays (LCDs).
The ADP1614 operates in current-mode pulse-width modulation (PWM) with up to 94% efficiency. Adjustable soft start prevents inrush currents when the part is enabled. The PWM current-mode architecture allows excellent transient response, easy noise filtering, and the use of small, cost-saving external inductors and capacitors. Other key features include undervoltage lockout (UVLO), thermal shutdown (TSD), and logic controlled enable.
The ADP1614 is available in a Pb-free, 10-lead lead frame chip scale package (LFCSP).
Adjustable and fixed current-limit options-Adjustable up to 4 A
-Fixed 3 A
Remarks:Inductors smaller than the 4.7 μH to 22 μH recommendedRefer page no.14
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | fres(MHz) | Montageart | IRP,40K(A) | RDC max.(mΩ) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom4.8 A | Sättigungsstrom4.3 A | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Bauform8043 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom4.6 A | Sättigungsstrom4.2 A | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand23 mΩ | Bauform1028 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom4 A | Sättigungsstrom6 A | Eigenresonanzfrequenz42 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand31 mΩ | Bauform1030 | VersionPerformance | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom7 A | Sättigungsstrom8 A | Eigenresonanzfrequenz34 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand12.4 mΩ | Bauform1050 | VersionPerformance | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom8 A | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand19.5 mΩ | Bauform1045 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom9.5 A | Sättigungsstrom7.6 A | Eigenresonanzfrequenz44 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand8.4 mΩ | Bauform1064 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom5 A | Sättigungsstrom6 A | Eigenresonanzfrequenz41 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand17 mΩ | Bauform1054 | – | – | – | – | MaterialNiZn | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.9 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.9 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz56 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom8.3 A | Gleichstromwiderstand15.95 mΩ | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%6.5 A | Gleichstromwiderstand14.5 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 5 µH, 5.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität5 µH | Nennstrom5.3 A | Sättigungsstrom5.5 A | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand22 mΩ | Bauform1038 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.5 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom6.6 A | Gleichstromwiderstand23.65 mΩ | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%6 A | Gleichstromwiderstand21.5 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.6 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz48 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand33.22 mΩ | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12.2 A | Sättigungsstrom @ 30%4.8 A | Gleichstromwiderstand28.2 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 5.05 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Nennstrom5.05 A | Sättigungsstrom5.8 A | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand28.6 mΩ | Bauform1045 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 8.5 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität8.5 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz44 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom5.3 A | Gleichstromwiderstand35.75 mΩ | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12 A | Sättigungsstrom @ 30%4.5 A | Gleichstromwiderstand30.5 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom3.4 A | Sättigungsstrom2.8 A | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Bauform8043 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom2.5 A | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand53 mΩ | Bauform1028 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom3.9 A | Sättigungsstrom4 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand35 mΩ | Bauform1038 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom4.3 A | Sättigungsstrom5 A | Eigenresonanzfrequenz20.5 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand27 mΩ | Bauform1050 | VersionPerformance | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.3 A | Sättigungsstrom2.95 A | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand70 mΩ | Bauform7850 | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.98 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom2.98 A | Sättigungsstrom3.24 A | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand60 mΩ | Bauform1054 | – | – | – | – | MaterialNiZn | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | – | – | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | MontageartSMT | Performance Nennstrom5.3 A | Gleichstromwiderstand36.3 mΩ | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 11.8 A | Sättigungsstrom @ 30%4 A | Gleichstromwiderstand33 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 11 µH, 6.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität11 µH | Nennstrom6.9 A | Sättigungsstrom5.3 A | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand15.8 mΩ | Bauform1064 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom2.8 A | Sättigungsstrom2.3 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand55 mΩ | Bauform8043 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-TPC SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom3 A | Sättigungsstrom3.25 A | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand50 mΩ | Bauform1038 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom3.5 A | Sättigungsstrom4.1 A | Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand43 mΩ | Bauform1050 | VersionPerformance | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 5.45 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom5.45 A | Sättigungsstrom4 A | Eigenresonanzfrequenz19 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand25.8 mΩ | Bauform1064 | VersionSMT | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.93 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom1.93 A | Sättigungsstrom2.23 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand90 mΩ | Bauform7850 | – | – | – | – | – | ||||
![]() | WE-PD2 SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.47 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD2 SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Nennstrom2.47 A | Sättigungsstrom2.88 A | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand80 mΩ | Bauform1054 | – | – | – | – | MaterialNiZn | ||||
![]() | WE-PDF SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 4.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PDF SMT-Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Nennstrom4.7 A | Sättigungsstrom3.5 A | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | MontageartSMT | – | Gleichstromwiderstand37.3 mΩ | Bauform1064 | VersionSMT | – | – | – | – |