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WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager
n 2.5:1:1 bis 1:1∫Udt 25.2 µVs bis 70 Vµs
WE-GDTI Gate-Drive-Übertrager
WE-GDTI Gate-Drive-Übertrager
n 1:1:1 bis 3:1:1∫Udt 99 bis 140 µVs
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer
WE-AGDT Auxiliary Gate Drive Transformer
n 3.5:3.5:1 bis 1:1.29∫Udt 36 bis 72 µVs
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
n
∫Udt(µVs)
VT(V (DC))
CWW 1(pF)
LS(µH)
Bauform
Produktserie
Referenzdesign
Muster
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1:1, 25.2 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:1 
Spannung-µSekunde25.2 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität1.7 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1, 30.2 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Spannung-µSekunde30.2 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität10 pF
Streuinduktivität1.8 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.5:1, 40.8 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.5:1 
Spannung-µSekunde40.8 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität2.9 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:1 
Spannung-µSekunde102 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität4 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Spannung-µSekunde102 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität4 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.5:1:1, 99 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.5:1:1 
Spannung-µSekunde99 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität3.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1:5:5, 28 µVs, 2100 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:5:5 
Spannung-µSekunde28 µVs
Prüfspannung2100 V (DC)
Koppelkapazität90 pF
Streuinduktivität0.4 µH
Bauform1210 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1:2:2, 70 µVs, 2100 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1:2:2 
Spannung-µSekunde70 µVs
Prüfspannung2100 V (DC)
Koppelkapazität100 pF
Streuinduktivität1.5 µH
Bauform1210 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1.2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1.2 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität8.2 pF
Streuinduktivität0.7 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:2 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität6.8 pF
Streuinduktivität0.55 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:2, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:2 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität6.8 pF
Streuinduktivität0.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1.67, 36 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1.67 
Spannung-µSekunde36 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität0.68 pF
Streuinduktivität0.55 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.56:3.89:1:1:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.56:3.89:1:1:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität6.4 pF
Streuinduktivität1 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1, 60 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Spannung-µSekunde60 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität1.3 pF
Streuinduktivität1.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.2:2:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.2:2:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität3.25 pF
Streuinduktivität0.24 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:2, 72 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:2 
Spannung-µSekunde72 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2.1 pF
Streuinduktivität3 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.8:3.6:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.8:3.6:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7.3 pF
Streuinduktivität0.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1.57, 40 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1.57 
Spannung-µSekunde40 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2 pF
Streuinduktivität0.85 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.83:1, 64 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.83:1 
Spannung-µSekunde64 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2 pF
Streuinduktivität1.9 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1.2:1, 70 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1.2:1 
Spannung-µSekunde70 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2 pF
Streuinduktivität2.2 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1.08, 70 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1.08 
Spannung-µSekunde70 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2.6 pF
Streuinduktivität2.25 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1.29, 40 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1.29 
Spannung-µSekunde40 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2.1 pF
Streuinduktivität0.755 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager1:1, 28.7 µVs, 2000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis1:1 
Spannung-µSekunde28.7 µVs
Prüfspannung2000 V (DC)
Koppelkapazität12 pF
Streuinduktivität1.4 µH
BauformER9.5/5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.5:1:1, 29.4 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.5:1:1 
Spannung-µSekunde29.4 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität2.3 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2:1:1, 28.6 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
Spannung-µSekunde28.6 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität1.9 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.5:1, 33.6 µVs, 1500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.5:1 
Spannung-µSekunde33.6 µVs
Prüfspannung1500 V (DC)
Koppelkapazität9 pF
Streuinduktivität2.3 µH
BauformEP5 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2:1:1, 102 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2:1:1 
Spannung-µSekunde102 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität4 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.5:1:1, 120 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.5:1:1 
Spannung-µSekunde120 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.25:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.25:3.5:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7.5 pF
Streuinduktivität0.4 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.25:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.25:3.5:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität0.6 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2:2.86:1.43:1.43:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2:2.86:1.43:1.43:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7.8 pF
Streuinduktivität0.7 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.25:4.25:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.25:4.25:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7.5 pF
Streuinduktivität0.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager2.2:1, 64 µVs, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis2.2:1 
Spannung-µSekunde64 µVs
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität2 pF
Streuinduktivität1.9 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager3:1:1, 140 µVs, 2500 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis3:1:1 
Spannung-µSekunde140 µVs
Prüfspannung2500 V (DC)
Koppelkapazität11 pF
Streuinduktivität7.5 µH
BauformEP7 
Referenzdesign
WE-GDT Gate-Drive-Übertrager3.5:3.5:1, –, 4000 V (DC)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Übersetzungsverhältnis3.5:3.5:1 
Prüfspannung4000 V (DC)
Koppelkapazität7 pF
Streuinduktivität0.6 µH
BauformEP7 
Referenzdesign