WE-LAN 10G Übertrager 10Gbit Base-T

Merkmale

  • 10G Base-T
  • PoE(+) über 4 Paare bis 150 W
  • Konform mit den jeweiligen IEEE Standards: 802.3af, 802.3at, 802.3an und 802.3bt
  • Industrie Temperaturbereich: -40°C bis +105°C

Anwendung

  • Office- und Factory-Access Points
  • Gateways
  • Servers
  • High-speed Routers und Switches
  • HDBaseT Anwendungen

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Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Datenrate
Ports
PoE
Improved CMRR
Betriebstemperatur
VT(V (RMS))
Montageart
L(µH)
Design Kit
Muster
749050010A
10G Base-T, 1, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität200 µH
Design Kit
749050010U
10G Base-T, 1, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität200 µH
Design Kit
749052011
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE+ (bis zu 600 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749052050
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE+ (bis zu 1 A) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität180 µH
Design Kit
749053010
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE (bis zu 350 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749050017
10G Base-T, 1, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749050018
10G Base-T, 1, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749053011
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE (bis zu 350 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität200 µH
Design Kit
749053012
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE (bis zu 350 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität200 µH
Design Kit
749053013
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE (bis zu 350 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749052012
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE+ (bis zu 600 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur 0 up to +70 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749052051
10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE+ (bis zu 1 A) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit
749052014
10G Base-T, 1, kein-PoE
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEkein-PoE 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Prüfspannung1500 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität180 µH
Design Kit
749054010
10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA)
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Datenrate10G Base-T 
Ports
PoEPoE (bis zu 350 mA) 
Verbesserte Common Mode EntstörungNein 
Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C
Prüfspannung4000 V (RMS)
MontageartSMT 
Induktivität120 µH
Design Kit

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten: