749050010A | 10G Base-T, 1, kein-PoE | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität200 µH | Design Kit – | |
749050010U | 10G Base-T, 1, kein-PoE | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität200 µH | | |
749052011 | 10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE+ (bis zu 600 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | | |
749052050 | 10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE+ (bis zu 1 A) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität180 µH | | |
749053010 | 10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | | |
749050017 | 10G Base-T, 1, kein-PoE | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |
749050018 | 10G Base-T, 1, kein-PoE | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |
749053011 | 10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 °C up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität200 µH | Design Kit – | |
749053012 | 10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität200 µH | Design Kit – | |
749053013 | 10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |
749052012 | 10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 600 mA) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE+ (bis zu 600 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur 0 up to +70 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |
749052051 | 10G Base-T, 1, PoE+ (bis zu 1 A) | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE+ (bis zu 1 A) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |
749052014 | 10G Base-T, 1, kein-PoE | | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEkein-PoE | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C | Prüfspannung1500 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität180 µH | Design Kit – | |
749054010 | 10G Base-T, 1, PoE (bis zu 350 mA) | Simulation– | | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Datenrate10G Base-T | Ports1 | PoEPoE (bis zu 350 mA) | Verbesserte Common Mode EntstörungNein | Betriebstemperatur -40 °C up to +85 °C | Prüfspannung4000 V (RMS) | MontageartSMT | Induktivität120 µH | Design Kit – | |