WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
BauformMaßeL
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
MaterialMontageart
8070
8.4 7.9 7.2 Ferrite SMT
1090
10.9 10 9.3 Ferrite SMT
1210 Ferrit
12.1 11.4 9.5 Ferrite SMT
1210 Eisenpulver
12.1 11.4 9.5 Eisenpulver SMT

Merkmale

  • Magnetisch geschirmt
  • Betriebstemperatur: –40 °C bis +125 °C
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow
  • Exzellentes Sättigungsverhalten
  • Strombelastbarkeit bis 27 A

Anwendung

  • Speicherdrossel DC/DC Wandler
  • Single + Multiphase Schaltregler
  • Eingangsfilterdrossel Motorsteuerungen
  • Eingangsfilterdrossel DC/DC Wandler

Artikeldaten

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8070
1090
1210 Ferrit
1210 Eisenpulver
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Simu­lation
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L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
Material
LR(µH)
fres(MHz)
Design Kit
Muster
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330022
0.22 µH, 35.2 A, 90.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom35.2 A
Sättigungsstrom 190.5 A
Sättigungsstrom @ 30%96 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.22 µH
Eigenresonanzfrequenz300 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320022
0.22 µH, 48.2 A, 82.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom48.2 A
Sättigungsstrom 182.9 A
Sättigungsstrom @ 30%90.8 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.22 µH
Eigenresonanzfrequenz280 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310022
0.22 µH, 48.2 A, 49.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Performance Nennstrom48.2 A
Sättigungsstrom 149.7 A
Sättigungsstrom @ 30%177.2 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.21 µH
Eigenresonanzfrequenz210 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340030
0.3 µH, 25.5 A, 35.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.3 µH
Performance Nennstrom25.5 A
Sättigungsstrom 135.4 A
Sättigungsstrom @ 30%40.3 A
Gleichstromwiderstand2.7 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.3 µH
Eigenresonanzfrequenz272 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330033
0.33 µH, 35.2 A, 51 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom35.2 A
Sättigungsstrom 151 A
Sättigungsstrom @ 30%59 A
Gleichstromwiderstand1.6 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.33 µH
Eigenresonanzfrequenz250 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320033
0.33 µH, 48.2 A, 56.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom48.2 A
Sättigungsstrom 156.7 A
Sättigungsstrom @ 30%62.1 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.33 µH
Eigenresonanzfrequenz214 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310033
0.33 µH, 48.2 A, 43.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.33 µH
Performance Nennstrom48.2 A
Sättigungsstrom 143.6 A
Sättigungsstrom @ 30%115.4 A
Gleichstromwiderstand1.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.32 µH
Eigenresonanzfrequenz190 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340047
0.47 µH, 22.5 A, 28.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 128.5 A
Sättigungsstrom @ 30%31.3 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.47 µH
Eigenresonanzfrequenz232 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330047
0.47 µH, 31.3 A, 46.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom31.3 A
Sättigungsstrom 146.5 A
Sättigungsstrom @ 30%54.9 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.47 µH
Eigenresonanzfrequenz160 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320047
0.47 µH, 40.2 A, 49.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 149.9 A
Sättigungsstrom @ 30%54.7 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.46 µH
Eigenresonanzfrequenz138 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310047
0.47 µH, 40.2 A, 44.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.47 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 144.4 A
Sättigungsstrom @ 30%116.2 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.46 µH
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340068
0.68 µH, 22.5 A, 21.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 121.2 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.64 µH
Eigenresonanzfrequenz181 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330068
0.68 µH, 27.2 A, 41.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 141.4 A
Sättigungsstrom @ 30%46 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.67 µH
Eigenresonanzfrequenz140 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320068
0.68 µH, 40.2 A, 35.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 135.8 A
Sättigungsstrom @ 30%39.1 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.66 µH
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310068
0.68 µH, 40.2 A, 39.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.68 µH
Performance Nennstrom40.2 A
Sättigungsstrom 139.3 A
Sättigungsstrom @ 30%63.5 A
Gleichstromwiderstand1.85 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.66 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330082
0.82 µH, 27.2 A, 36.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 136.8 A
Sättigungsstrom @ 30%41.9 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.81 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320082
0.82 µH, 34 A, 32.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Performance Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 132.6 A
Sättigungsstrom @ 30%35.8 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.8 µH
Eigenresonanzfrequenz99 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310082
0.82 µH, 32.5 A, 33.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Performance Nennstrom32.5 A
Sättigungsstrom 133.8 A
Sättigungsstrom @ 30%67.8 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.78 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340100
1 µH, 18.8 A, 22.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom18.8 A
Sättigungsstrom 122.9 A
Sättigungsstrom @ 30%25.1 A
Gleichstromwiderstand3.9 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.97 µH
Eigenresonanzfrequenz147 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330100
1 µH, 27.2 A, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom27.2 A
Sättigungsstrom 126.5 A
Sättigungsstrom @ 30%31.1 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.95 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320100
1 µH, 34 A, 30.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom34 A
Sättigungsstrom 130.6 A
Sättigungsstrom @ 30%33.5 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität0.9 µH
Eigenresonanzfrequenz96 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310100
1 µH, 32.5 A, 28.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom32.5 A
Sättigungsstrom 128.5 A
Sättigungsstrom @ 30%55.1 A
Gleichstromwiderstand2.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität0.94 µH
Eigenresonanzfrequenz100 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340150
1.5 µH, 14.8 A, 16.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom 116.4 A
Sättigungsstrom @ 30%18.5 A
Gleichstromwiderstand5.6 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.4 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330150
1.5 µH, 21.7 A, 26.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom21.7 A
Sättigungsstrom 126.8 A
Sättigungsstrom @ 30%31 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.45 µH
Eigenresonanzfrequenz78 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320150
1.5 µH, 25.7 A, 26.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom25.7 A
Sättigungsstrom 126.5 A
Sättigungsstrom @ 30%29.1 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.43 µH
Eigenresonanzfrequenz92 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310150
1.5 µH, 26.9 A, 21.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom26.9 A
Sättigungsstrom 121.9 A
Sättigungsstrom @ 30%54.5 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität1.36 µH
Eigenresonanzfrequenz120 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340220
2.2 µH, 14.8 A, 11.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom14.8 A
Sättigungsstrom 111.3 A
Sättigungsstrom @ 30%12.9 A
Gleichstromwiderstand5.6 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.4 µH
Eigenresonanzfrequenz97 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330220
2.2 µH, 17.4 A, 22.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom17.4 A
Sättigungsstrom 122.5 A
Sättigungsstrom @ 30%25.6 A
Gleichstromwiderstand4.8 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.1 µH
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320220
2.2 µH, 21.6 A, 24.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom21.6 A
Sättigungsstrom 124.8 A
Sättigungsstrom @ 30%27.2 A
Gleichstromwiderstand4.3 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2 µH
Eigenresonanzfrequenz64 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310220
2.2 µH, 22.4 A, 20.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom22.4 A
Sättigungsstrom 120.9 A
Sättigungsstrom @ 30%44 A
Gleichstromwiderstand4.3 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität2.1 µH
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340330
3.3 µH, 12.3 A, 8.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom12.3 A
Sättigungsstrom 18.4 A
Sättigungsstrom @ 30%10.8 A
Gleichstromwiderstand8.2 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität1.55 µH
Eigenresonanzfrequenz81 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330330
3.3 µH, 14.1 A, 19.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom14.1 A
Sättigungsstrom 119.3 A
Sättigungsstrom @ 30%22.8 A
Gleichstromwiderstand7.15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.6 µH
Eigenresonanzfrequenz51 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320330
3.3 µH, 18.2 A, 22.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom18.2 A
Sättigungsstrom 122.4 A
Sättigungsstrom @ 30%24.7 A
Gleichstromwiderstand5.7 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.5 µH
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310330
3.3 µH, 15.5 A, 19.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom15.5 A
Sättigungsstrom 119.2 A
Sättigungsstrom @ 30%38.9 A
Gleichstromwiderstand7.7 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität3.2 µH
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310390
3.9 µH, 12.5 A, 16.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.9 µH
Performance Nennstrom12.5 A
Sättigungsstrom 116.4 A
Sättigungsstrom @ 30%35.3 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität3.75 µH
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340470
4.7 µH, 8.9 A, 7.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom8.9 A
Sättigungsstrom 17.7 A
Sättigungsstrom @ 30%9.5 A
Gleichstromwiderstand13.5 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität3.5 µH
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330470
4.7 µH, 11.3 A, 15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom11.3 A
Sättigungsstrom 115 A
Sättigungsstrom @ 30%17.9 A
Gleichstromwiderstand9.9 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität3.8 µH
Eigenresonanzfrequenz49 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320470
4.7 µH, 14.9 A, 15.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom14.9 A
Sättigungsstrom 115.6 A
Sättigungsstrom @ 30%17.1 A
Gleichstromwiderstand7.9 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität3.2 µH
Eigenresonanzfrequenz43 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443310470
4.7 µH, 12.5 A, 17.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom12.5 A
Sättigungsstrom 117.8 A
Sättigungsstrom @ 30%35.5 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
MaterialEisenpulver 
Nenninduktivität4.5 µH
Eigenresonanzfrequenz32 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443340680
6.8 µH, 6.2 A, 7.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom 17.4 A
Sättigungsstrom @ 30%8.3 A
Gleichstromwiderstand24 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität6.5 µH
Eigenresonanzfrequenz37 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330680
6.8 µH, 8.9 A, 12.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom8.9 A
Sättigungsstrom 112.4 A
Sättigungsstrom @ 30%16.6 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität4.5 µH
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320680
6.8 µH, 12.3 A, 12.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom12.3 A
Sättigungsstrom 112.9 A
Sättigungsstrom @ 30%14.2 A
Gleichstromwiderstand11 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität5.5 µH
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443330820
8.2 µH, 8.9 A, 9.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom8.9 A
Sättigungsstrom 19.3 A
Sättigungsstrom @ 30%12.5 A
Gleichstromwiderstand15 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität2.8 µH
Eigenresonanzfrequenz36 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443320820
8.2 µH, 11.8 A, 12.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom11.8 A
Sättigungsstrom 112.3 A
Sättigungsstrom @ 30%13.5 A
Gleichstromwiderstand11.8 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität5.1 µH
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443341000
10 µH, 4.4 A, 7.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom4.4 A
Sättigungsstrom 17.1 A
Sättigungsstrom @ 30%8.3 A
Gleichstromwiderstand41 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität9.8 µH
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443331000
10 µH, 6.7 A, 9.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom 19.4 A
Sättigungsstrom @ 30%11.7 A
Gleichstromwiderstand23.1 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität5.5 µH
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Design Kit
WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität
7443321000
10 µH, 9.6 A, 9.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom9.6 A
Sättigungsstrom 19.1 A
Sättigungsstrom @ 30%11.3 A
Gleichstromwiderstand16.7 mΩ
MaterialFerrite 
Nenninduktivität7.5 µH
Eigenresonanzfrequenz29 MHz
Design Kit

REDEXPERT-Verlustsimulation

Finden Sie die beste Drossel!

REDEXPERT-Verlustsimulation

Finden Sie die beste Drossel!

REDEXPERT verfügt über das weltweit genaueste AC-Verlustmodell, das sogar den DC-Bias-Strom berücksichtigt. Mit dedizierten DC/DC-Topologien oder dem generischen Verlustsimulator können Sie die AC- und DC-Verluste Ihres Wandlers präzise bestimmen. Das Modell berücksichtigt das Kernmaterial, die Form und die Wicklungsstruktur der Drossel. REDEXPERT empfiehlt passende Drosseln und ermöglicht es Ihnen, weitere Filter hinzuzufügen, um die optimale Drossel für Ihre Anwendung zu finden.

Schematische Darstellungen des Redexpert Verlust-Simulators

Sortimente

Artikel dieser Produktserie finden Sie in den folgenden Sortimenten:

Videos

Wie man den richtigen Spulentyp (Induktor) auswählt?!

Videos

Webinar: Definition der Bauteilerwärmung von Speicherinduktivitäten in Schaltreglern