Design Kit WE-LQFS SMT Shielded Power Inductor

Artikel Nr. 7440601

Anwendung

  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
  • Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkamera, Tablets, etc.)
  • Embedded PC-Karten

Artikeldaten

Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel in 0 Produktserien anzeigen
 Artikel in 0 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT(A)
IR(A)
Bauform
Muster
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom2.15 A
Nennstrom2.5 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.06 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Sättigungsstrom4.06 A
Nennstrom4.47 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.06 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.2 µH
Sättigungsstrom3.06 A
Nennstrom3.61 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.92 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom1.92 A
Nennstrom2.25 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 3.08 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Sättigungsstrom3.08 A
Nennstrom3.9 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.07 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.7 µH
Sättigungsstrom2.07 A
Nennstrom2.93 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.31 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom1.31 A
Nennstrom1.59 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.12 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom2.12 A
Nennstrom2.72 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.07 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom1.07 A
Nennstrom1.36 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.53 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom1.53 A
Nennstrom2.39 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom1.62 A
Nennstrom2.3 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.88 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom0.88 A
Nennstrom1.15 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom1.26 A
Nennstrom2.04 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.52 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Sättigungsstrom1.52 A
Nennstrom2.05 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom0.75 A
Nennstrom0.94 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom1.1 A
Nennstrom1.61 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.22 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom1.22 A
Nennstrom1.77 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom0.46 A
Nennstrom0.66 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom0.68 A
Nennstrom1 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.77 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom0.77 A
Nennstrom1.23 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Sättigungsstrom0.4 A
Nennstrom0.54 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.58 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Sättigungsstrom0.58 A
Nennstrom0.83 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.64 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Sättigungsstrom0.64 A
Nennstrom0.99 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.34 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom0.34 A
Nennstrom0.45 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.47 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom0.47 A
Nennstrom0.63 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.56 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom0.56 A
Nennstrom0.97 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom0.22 A
Nennstrom0.27 A
Bauform3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom0.32 A
Nennstrom0.42 A
Bauform4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität100 µH
Sättigungsstrom0.37 A
Nennstrom0.62 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.26 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Sättigungsstrom0.26 A
Nennstrom0.4 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität330 µH
Sättigungsstrom0.22 A
Nennstrom0.34 A
Bauform4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.18 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität470 µH
Sättigungsstrom0.18 A
Nennstrom0.26 A
Bauform4828