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  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Schaltregler mit hohem Wirkungsgrad
  • Tragbare Geräte (Smartphones, Digitalkamera, Tablets, etc.)
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L (µH)
ISAT (A)
IR (A)
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Muster
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 2.15 A
Nennstrom 2.5 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4.06 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Sättigungsstrom 4.06 A
Nennstrom 4.47 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.06 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Sättigungsstrom 3.06 A
Nennstrom 3.61 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.92 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 1.92 A
Nennstrom 2.25 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 3.08 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Sättigungsstrom 3.08 A
Nennstrom 3.9 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 2.7 µH, 2.07 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Sättigungsstrom 2.07 A
Nennstrom 2.93 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.31 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Sättigungsstrom 1.31 A
Nennstrom 1.59 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.12 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Sättigungsstrom 2.12 A
Nennstrom 2.72 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.07 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1.07 A
Nennstrom 1.36 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.53 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1.53 A
Nennstrom 2.39 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Sättigungsstrom 1.62 A
Nennstrom 2.3 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.88 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Sättigungsstrom 0.88 A
Nennstrom 1.15 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.26 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Sättigungsstrom 1.26 A
Nennstrom 2.04 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Sättigungsstrom 1.52 A
Nennstrom 2.05 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 0.75 A
Nennstrom 0.94 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1.1 A
Nennstrom 1.61 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Sättigungsstrom 1.22 A
Nennstrom 1.77 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.46 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Sättigungsstrom 0.46 A
Nennstrom 0.66 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.68 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Sättigungsstrom 0.68 A
Nennstrom 1 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.77 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Sättigungsstrom 0.77 A
Nennstrom 1.23 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Sättigungsstrom 0.4 A
Nennstrom 0.54 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.58 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Sättigungsstrom 0.58 A
Nennstrom 0.83 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.64 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Sättigungsstrom 0.64 A
Nennstrom 0.99 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Sättigungsstrom 0.34 A
Nennstrom 0.45 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.47 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Sättigungsstrom 0.47 A
Nennstrom 0.63 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.56 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Sättigungsstrom 0.56 A
Nennstrom 0.97 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Sättigungsstrom 0.22 A
Nennstrom 0.27 A
Bauform 3818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.32 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Sättigungsstrom 0.32 A
Nennstrom 0.42 A
Bauform 4818 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.37 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Sättigungsstrom 0.37 A
Nennstrom 0.62 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.26 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Sättigungsstrom 0.26 A
Nennstrom 0.4 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.22 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Sättigungsstrom 0.22 A
Nennstrom 0.34 A
Bauform 4828 
WE-LQFS SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Sättigungsstrom 0.18 A
Nennstrom 0.26 A
Bauform 4828