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IC-Hersteller Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics

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ReferenzdesignRTL8326H | Demoboard RTL8326H_16FE_8LD_2GCOMBO_POE

Realsil SuRealsil(tek) Microelectronics RTL8326H | Demoboard RTL8326H_16FE_8LD_2GCOMBO_POE

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(mA)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443251000
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 9.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom9.5 A
Sättigungsstrom 14 A
Sättigungsstrom @ 30%8.5 A
Gleichstromwiderstand16.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz21 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–
–
–
–
–
Höhe4.7 mm
–
–Verfügbarkeit prüfen
74279224551
SPECWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead
–
–
–
–
–
–
–
Verpackungseinheit2000 
Impedanz @ 100 MHz550 Ω
Maximale Impedanz660 Ω
Maximale Impedanz300 MHz 
Nennstrom4000 mA
Impedanz @ 1 GHz244 Ω
Höhe2 mm
TypHochstrom 
–Verfügbarkeit prüfen