Design Kit WE-GF SMT-Induktivitäten
Artikel Nr. 744766
Anwendung
- HF-Schaltung wie z.B. Tuner, Transponder
- HF-Verstärkerschaltungen (Antennenverstärker)
- Oszillatoren
- Anpassungsnetzwerke
- HF-Filterschaltungen
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | RDC max.(mΩ) | IR(mA) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.1 µH, 440 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.1 µH | Gleichstromwiderstand440 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz780 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.22 µH, 320 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.22 µH | Gleichstromwiderstand320 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz660 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.33 µH | Gleichstromwiderstand400 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz580 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.33 µH, 400 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.33 µH | Gleichstromwiderstand400 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz440 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.47 µH, 500 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.47 µH | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz480 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.68 µH | Gleichstromwiderstand600 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz400 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 0.68 µH, 600 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität0.68 µH | Gleichstromwiderstand600 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz310 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 700 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand700 mΩ | Nennstrom400 mA | Eigenresonanzfrequenz340 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1 µH, 500 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand500 mΩ | Nennstrom450 mA | Eigenresonanzfrequenz275 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 1000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand1000 mΩ | Nennstrom320 mA | Eigenresonanzfrequenz100 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 2.2 µH, 700 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität2.2 µH | Gleichstromwiderstand700 mΩ | Nennstrom380 mA | Eigenresonanzfrequenz185 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 1200 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand1200 mΩ | Nennstrom260 mA | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 3.3 µH, 800 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand800 mΩ | Nennstrom355 mA | Eigenresonanzfrequenz155 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1500 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand1500 mΩ | Nennstrom220 mA | Eigenresonanzfrequenz45 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 4.7 µH, 1000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand1000 mΩ | Nennstrom315 mA | Eigenresonanzfrequenz95 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1800 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand1800 mΩ | Nennstrom180 mA | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 6.8 µH, 1200 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand1200 mΩ | Nennstrom285 mA | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 2100 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand2100 mΩ | Nennstrom150 mA | Eigenresonanzfrequenz32 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 10 µH, 1600 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand1600 mΩ | Nennstrom250 mA | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 15 µH, 2500 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität15 µH | Gleichstromwiderstand2500 mΩ | Nennstrom200 mA | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3700 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität22 µH | Gleichstromwiderstand3700 mΩ | Nennstrom110 mA | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 22 µH, 3200 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität22 µH | Gleichstromwiderstand3200 mΩ | Nennstrom180 mA | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 5600 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität33 µH | Gleichstromwiderstand5600 mΩ | Nennstrom70 mA | Eigenresonanzfrequenz17 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 33 µH, 4000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität33 µH | Gleichstromwiderstand4000 mΩ | Nennstrom160 mA | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 7000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität47 µH | Gleichstromwiderstand7000 mΩ | Nennstrom60 mA | Eigenresonanzfrequenz15 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 47 µH, 5000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität47 µH | Gleichstromwiderstand5000 mΩ | Nennstrom140 mA | Eigenresonanzfrequenz12 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 9000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität68 µH | Gleichstromwiderstand9000 mΩ | Nennstrom50 mA | Eigenresonanzfrequenz12.5 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 68 µH, 6000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität68 µH | Gleichstromwiderstand6000 mΩ | Nennstrom130 mA | Eigenresonanzfrequenz10 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 11000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität100 µH | Gleichstromwiderstand11000 mΩ | Nennstrom40 mA | Eigenresonanzfrequenz11 MHz | Bauform3225 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 100 µH, 8000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität100 µH | Gleichstromwiderstand8000 mΩ | Nennstrom110 mA | Eigenresonanzfrequenz8.5 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 150 µH, 9000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität150 µH | Gleichstromwiderstand9000 mΩ | Nennstrom105 mA | Eigenresonanzfrequenz6 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 220 µH, 10000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität220 µH | Gleichstromwiderstand10000 mΩ | Nennstrom100 mA | Eigenresonanzfrequenz5 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 330 µH, 14000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität330 µH | Gleichstromwiderstand14000 mΩ | Nennstrom85 mA | Eigenresonanzfrequenz4.5 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 470 µH, 26000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität470 µH | Gleichstromwiderstand26000 mΩ | Nennstrom62 mA | Eigenresonanzfrequenz3.4 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 680 µH, 30000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität680 µH | Gleichstromwiderstand30000 mΩ | Nennstrom50 mA | Eigenresonanzfrequenz3 MHz | Bauform4532 | |||
| WE-GF SMT-Induktivität, 1000 µH, 50000 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-GF SMT-Induktivität | Induktivität1000 µH | Gleichstromwiderstand50000 mΩ | Nennstrom30 mA | Eigenresonanzfrequenz2.5 MHz | Bauform4532 |
