Bauform Maße 3D L
(mm)
B
(mm)
H
(mm)
Material Montageart
1054
9 10 5.4 NiZn SMT
3521
3 3.5 2.1 NiZn SMT
4532
4 4.5 3.2 NiZn SMT
5848
5.2 5.8 4.5 NiZn SMT
7850
7 7.8 5 - SMT

Merkmale

  • Offene Bauform
  • Sättigungsströme bis 14 A
  • Geringe Toleranzen bei großen Induktivitätswerten
  • Betriebstemperatur: –40 ºC bis +125 ºC
  • Empfohlenes Lötverfahren: Reflow

Anwendung

  • Schaltregler im Bereich kleiner Betriebsspannungen (Grafikkarten, embedded PC-Karten, Mainboards)
  • Integrierte DC-/DC-Wandler
  • Optimale Dämpfung im MHz Frequenzbereich

Artikeldaten

Alle
1054
3521
4532
5848
7850
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Status
L (µH)
IR (A)
IRP,40K (A)
ISAT (A)
ISAT,10% (A)
ISAT,30% (A)
RDC max. (Ω)
fres (MHz)
Design Kit
Muster
7447730
1 µH, 4 A, 5.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 4 A
Performance Nennstrom 5.55 A
Sättigungsstrom 5.72 A
Sättigungsstrom 1 5.72 A
Sättigungsstrom @ 30% 6.6 A
Gleichstromwiderstand 0.049 Ω
Eigenresonanzfrequenz 110 MHz
Design Kit
7447732010
1 µH, 2.55 A, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.55 A
Performance Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 3.7 A
Sättigungsstrom 1 3.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.3 A
Gleichstromwiderstand 0.05 Ω
Eigenresonanzfrequenz 160 MHz
Design Kit
744776012
1.2 µH, 6 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom 11 A
Gleichstromwiderstand 0.009 Ω
Eigenresonanzfrequenz 110 MHz
Design Kit
744773014
1.4 µH, 3.4 A, 4.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.4 µH
Nennstrom 3.4 A
Performance Nennstrom 4.45 A
Sättigungsstrom 5.04 A
Sättigungsstrom 1 5.04 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.8 A
Gleichstromwiderstand 0.056 Ω
Eigenresonanzfrequenz 103 MHz
Design Kit
7447732015
1.5 µH, 2.08 A, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 2.08 A
Performance Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 3.05 A
Sättigungsstrom 1 3.05 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.6 A
Gleichstromwiderstand 0.07 Ω
Eigenresonanzfrequenz 130 MHz
Design Kit
744773018
1.8 µH, 2.7 A, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.8 µH
Nennstrom 2.7 A
Performance Nennstrom 3.9 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Sättigungsstrom 1 4.4 A
Sättigungsstrom @ 30% 5.1 A
Gleichstromwiderstand 0.064 Ω
Eigenresonanzfrequenz 95 MHz
Design Kit
744773022
2.2 µH, 2.5 A, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 2.5 A
Performance Nennstrom 3.5 A
Sättigungsstrom 3.38 A
Sättigungsstrom 1 4.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.7 A
Gleichstromwiderstand 0.071 Ω
Eigenresonanzfrequenz 85 MHz
Design Kit
744774022
2.2 µH, 4.6 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 4.6 A
Sättigungsstrom 8.2 A
Gleichstromwiderstand 0.041 Ω
Eigenresonanzfrequenz 54 MHz
Design Kit
7447732022
2.2 µH, 1.71 A, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.71 A
Performance Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 2.54 A
Sättigungsstrom 1 2.54 A
Sättigungsstrom @ 30% 3 A
Gleichstromwiderstand 0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz 100 MHz
Design Kit
744776025
2.5 µH, 5.3 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.5 µH
Nennstrom 5.3 A
Sättigungsstrom 8 A
Gleichstromwiderstand 0.012 Ω
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Design Kit
744773027
2.7 µH, 2.25 A, 3.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 2.25 A
Performance Nennstrom 3.25 A
Sättigungsstrom 2.97 A
Sättigungsstrom 1 3.5 A
Sättigungsstrom @ 30% 4.05 A
Gleichstromwiderstand 0.079 Ω
Eigenresonanzfrequenz 72 MHz
Design Kit
744774027
2.7 µH, 4 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.7 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 8 A
Gleichstromwiderstand 0.045 Ω
Eigenresonanzfrequenz 50 MHz
Design Kit
744773033
3.3 µH, 2 A, 3.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2 A
Performance Nennstrom 3.15 A
Sättigungsstrom 2.88 A
Sättigungsstrom 1 3.3 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.8 A
Gleichstromwiderstand 0.086 Ω
Eigenresonanzfrequenz 65 MHz
Design Kit
744774033
3.3 µH, 4 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 7.5 A
Gleichstromwiderstand 0.06 Ω
Eigenresonanzfrequenz 43 MHz
Design Kit
744776033
3.3 µH, 5 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom 7 A
Gleichstromwiderstand 0.014 Ω
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Design Kit
7447732033
3.3 µH, 1.39 A, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.39 A
Performance Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 2.09 A
Sättigungsstrom 1 2.09 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.45 A
Gleichstromwiderstand 0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz 80 MHz
Design Kit
744773039
3.9 µH, 1.88 A, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.9 µH
Nennstrom 1.88 A
Performance Nennstrom 2.7 A
Sättigungsstrom 2.57 A
Sättigungsstrom 1 3.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.55 A
Gleichstromwiderstand 0.094 Ω
Eigenresonanzfrequenz 61 MHz
Design Kit
744773047
4.7 µH, 1.82 A, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.82 A
Performance Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 2.46 A
Sättigungsstrom 1 2.9 A
Sättigungsstrom @ 30% 3.3 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 50 MHz
Design Kit
744774047
4.7 µH, 3 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Gleichstromwiderstand 0.071 Ω
Eigenresonanzfrequenz 33 MHz
Design Kit
744776047
4.7 µH, 5 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 5 A
Sättigungsstrom 6 A
Gleichstromwiderstand 0.017 Ω
Eigenresonanzfrequenz 41 MHz
Design Kit
7447732047
4.7 µH, 1.16 A, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.16 A
Performance Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 1.77 A
Sättigungsstrom 1 1.77 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.1 A
Gleichstromwiderstand 0.16 Ω
Eigenresonanzfrequenz 70 MHz
Design Kit
744773056
5.6 µH, 1.58 A, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 1.58 A
Performance Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 2.43 A
Sättigungsstrom 1 2.43 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.8 A
Gleichstromwiderstand 0.126 Ω
Eigenresonanzfrequenz 48 MHz
Design Kit
744776056
5.6 µH, 4.8 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 4.8 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Gleichstromwiderstand 0.019 Ω
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Design Kit
744773068
6.8 µH, 1.54 A, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.54 A
Performance Nennstrom 2.3 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Sättigungsstrom 1 2.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.4 A
Gleichstromwiderstand 0.131 Ω
Eigenresonanzfrequenz 41 MHz
Design Kit
744774068
6.8 µH, 2.4 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 5 A
Gleichstromwiderstand 0.082 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Design Kit
744776068
6.8 µH, 4.4 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 4.4 A
Sättigungsstrom 5 A
Gleichstromwiderstand 0.022 Ω
Eigenresonanzfrequenz 34 MHz
Design Kit
7447732068
6.8 µH, 0.96 A, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.96 A
Performance Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 1.48 A
Sättigungsstrom 1 1.48 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.78 A
Gleichstromwiderstand 0.21 Ω
Eigenresonanzfrequenz 55 MHz
Design Kit
744773082
8.2 µH, 1.5 A, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 1.5 A
Performance Nennstrom 1.85 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 1 1.8 A
Sättigungsstrom @ 30% 2.08 A
Gleichstromwiderstand 0.146 Ω
Eigenresonanzfrequenz 38 MHz
Design Kit
744776082
8.2 µH, 4.2 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 4.2 A
Sättigungsstrom 4.25 A
Gleichstromwiderstand 0.026 Ω
Eigenresonanzfrequenz 25 MHz
Design Kit
74477310
10 µH, 1.45 A, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.45 A
Performance Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 1.74 A
Sättigungsstrom 1 1.74 A
Sättigungsstrom @ 30% 2 A
Gleichstromwiderstand 0.182 Ω
Eigenresonanzfrequenz 37 MHz
Design Kit
74477410
10 µH, 2.2 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 26 MHz
Design Kit
74477510
10 µH, 2.3 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.3 A
Sättigungsstrom 2.95 A
Gleichstromwiderstand 0.07 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Design Kit
74477610
10 µH, 2.98 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.98 A
Sättigungsstrom 3.24 A
Gleichstromwiderstand 0.06 Ω
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Design Kit
7447732110
10 µH, 0.8 A, 1.15 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.8 A
Performance Nennstrom 1.15 A
Sättigungsstrom 1.23 A
Sättigungsstrom 1 1.23 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.45 A
Gleichstromwiderstand 0.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 45 MHz
Design Kit
744773112
12 µH, 1.28 A, 1.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 1.28 A
Performance Nennstrom 1.55 A
Sättigungsstrom 1.62 A
Sättigungsstrom 1 1.62 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.85 A
Gleichstromwiderstand 0.21 Ω
Eigenresonanzfrequenz 32 MHz
Design Kit
744774112
12 µH, 2 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 1.94 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Design Kit
744775112
12 µH, 2.18 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 2.18 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Gleichstromwiderstand 0.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz 26 MHz
Design Kit
744776112
12 µH, 2.72 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 2.72 A
Sättigungsstrom 3.15 A
Gleichstromwiderstand 0.07 Ω
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Design Kit
744773115
15 µH, 1.2 A, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.2 A
Performance Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1.46 A
Sättigungsstrom 1 1.46 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.65 A
Gleichstromwiderstand 0.235 Ω
Eigenresonanzfrequenz 26 MHz
Design Kit
744774115
15 µH, 1.53 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.53 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Design Kit
744775115
15 µH, 1.93 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.93 A
Sättigungsstrom 2.23 A
Gleichstromwiderstand 0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Design Kit
744776115
15 µH, 2.47 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2.47 A
Sättigungsstrom 2.88 A
Gleichstromwiderstand 0.08 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Design Kit
7447732115
15 µH, 0.64 A, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.64 A
Performance Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.01 A
Sättigungsstrom 1 1.01 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.18 A
Gleichstromwiderstand 0.43 Ω
Eigenresonanzfrequenz 36 MHz
Design Kit
744773118
18 µH, 1.1 A, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 1.1 A
Performance Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 1.29 A
Sättigungsstrom 1 1.29 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.49 A
Gleichstromwiderstand 0.338 Ω
Eigenresonanzfrequenz 23 MHz
Design Kit
744774118
18 µH, 1.45 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 1.45 A
Sättigungsstrom 1.69 A
Gleichstromwiderstand 0.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Design Kit
744775118
18 µH, 1.89 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 1.89 A
Sättigungsstrom 2.14 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
Design Kit
744776118
18 µH, 2.36 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 2.36 A
Sättigungsstrom 2.43 A
Gleichstromwiderstand 0.09 Ω
Eigenresonanzfrequenz 19 MHz
Design Kit
744773122
22 µH, 1 A, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1 A
Performance Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1.22 A
Sättigungsstrom 1 1.22 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.42 A
Gleichstromwiderstand 0.37 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Design Kit
744774122
22 µH, 1.28 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.28 A
Sättigungsstrom 1.53 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Design Kit
744775122
22 µH, 1.76 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.76 A
Sättigungsstrom 1.81 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 17.5 MHz
Design Kit
744776122
22 µH, 2.04 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 2.04 A
Sättigungsstrom 2.07 A
Gleichstromwiderstand 0.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Design Kit
7447732122
22 µH, 0.53 A, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.53 A
Performance Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 0.84 A
Sättigungsstrom 1 0.84 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.97 A
Gleichstromwiderstand 0.7 Ω
Eigenresonanzfrequenz 28 MHz
Design Kit
744773127
27 µH, 0.94 A, 1.05 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 0.94 A
Performance Nennstrom 1.05 A
Sättigungsstrom 1 A
Sättigungsstrom 1 1.15 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.32 A
Gleichstromwiderstand 0.522 Ω
Eigenresonanzfrequenz 21 MHz
Design Kit
744774127
27 µH, 1.19 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 1.19 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Gleichstromwiderstand 0.2 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Design Kit
744775127
27 µH, 1.48 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 1.48 A
Sättigungsstrom 1.62 A
Gleichstromwiderstand 0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15.5 MHz
Design Kit
744776127
27 µH, 1.95 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 1.95 A
Sättigungsstrom 1.98 A
Gleichstromwiderstand 0.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Design Kit
744773133
33 µH, 0.86 A, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.86 A
Performance Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1 1.1 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.26 A
Gleichstromwiderstand 0.54 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Design Kit
744774133
33 µH, 1.09 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.09 A
Sättigungsstrom 1.17 A
Gleichstromwiderstand 0.23 Ω
Eigenresonanzfrequenz 14 MHz
Design Kit
744775133
33 µH, 1.35 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1.47 A
Gleichstromwiderstand 0.13 Ω
Eigenresonanzfrequenz 14.5 MHz
Design Kit
744776133
33 µH, 1.78 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.78 A
Sättigungsstrom 1.89 A
Gleichstromwiderstand 0.12 Ω
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Design Kit
7447732133
33 µH, 0.43 A, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.43 A
Performance Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 1 0.7 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.83 A
Gleichstromwiderstand 0.97 Ω
Eigenresonanzfrequenz 24 MHz
Design Kit
744773139
39 µH, 0.77 A, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 0.77 A
Performance Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 0.87 A
Sättigungsstrom 1 0.95 A
Sättigungsstrom @ 30% 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.587 Ω
Eigenresonanzfrequenz 15 MHz
Design Kit
744774139
39 µH, 0.94 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 0.94 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.32 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Design Kit
744775139
39 µH, 1.25 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 1.33 A
Gleichstromwiderstand 0.16 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12.5 MHz
Design Kit
744776139
39 µH, 1.62 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 1.62 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Gleichstromwiderstand 0.14 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Design Kit
744773147
47 µH, 0.68 A, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.68 A
Performance Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 0.77 A
Sättigungsstrom 1 0.85 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.98 A
Gleichstromwiderstand 0.844 Ω
Eigenresonanzfrequenz 17 MHz
Design Kit
744774147
47 µH, 0.86 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.86 A
Sättigungsstrom 1 A
Gleichstromwiderstand 0.37 Ω
Eigenresonanzfrequenz 11.5 MHz
Design Kit
744775147
47 µH, 1.17 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.17 A
Sättigungsstrom 1.24 A
Gleichstromwiderstand 0.18 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Design Kit
744776147
47 µH, 1.45 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.45 A
Sättigungsstrom 1.62 A
Gleichstromwiderstand 0.17 Ω
Eigenresonanzfrequenz 11 MHz
Design Kit
7447732147
47 µH, 0.36 A, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.36 A
Performance Nennstrom 0.5 A
Sättigungsstrom 0.59 A
Sättigungsstrom 1 0.59 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.69 A
Gleichstromwiderstand 1.33 Ω
Eigenresonanzfrequenz 20 MHz
Design Kit
744773156
56 µH, 0.64 A, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 0.64 A
Performance Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 0.75 A
Sättigungsstrom 1 0.82 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.94 A
Gleichstromwiderstand 0.937 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Design Kit
744774156
56 µH, 0.77 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 0.77 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Gleichstromwiderstand 0.42 Ω
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Design Kit
744775156
56 µH, 1.04 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 1.04 A
Sättigungsstrom 1.14 A
Gleichstromwiderstand 0.24 Ω
Eigenresonanzfrequenz 10.5 MHz
Design Kit
744776156
56 µH, 1.36 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 1.36 A
Sättigungsstrom 1.53 A
Gleichstromwiderstand 0.19 Ω
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Design Kit
744773168
68 µH, 0.56 A, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.56 A
Performance Nennstrom 0.65 A
Sättigungsstrom 0.68 A
Sättigungsstrom 1 0.75 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.86 A
Gleichstromwiderstand 1.117 Ω
Eigenresonanzfrequenz 13 MHz
Design Kit
744774168
68 µH, 0.64 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.64 A
Sättigungsstrom 0.86 A
Gleichstromwiderstand 0.46 Ω
Eigenresonanzfrequenz 10 MHz
Design Kit
744775168
68 µH, 0.99 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.99 A
Sättigungsstrom 1.05 A
Gleichstromwiderstand 0.28 Ω
Eigenresonanzfrequenz 9.7 MHz
Design Kit
744776168
68 µH, 1.19 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 1.19 A
Sättigungsstrom 1.49 A
Gleichstromwiderstand 0.22 Ω
Eigenresonanzfrequenz 9 MHz
Design Kit
7447732168
68 µH, 0.3 A, 0.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.3 A
Performance Nennstrom 0.4 A
Sättigungsstrom 0.49 A
Sättigungsstrom 1 0.49 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.57 A
Gleichstromwiderstand 1.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 16 MHz
Design Kit
744774182
82 µH, 0.6 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.72 A
Gleichstromwiderstand 0.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Design Kit
744775182
82 µH, 0.9 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Gleichstromwiderstand 0.37 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8.6 MHz
Design Kit
744776182
82 µH, 1.11 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 1.11 A
Sättigungsstrom 1.17 A
Gleichstromwiderstand 0.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Design Kit
74477420
100 µH, 0.57 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.57 A
Sättigungsstrom 0.68 A
Gleichstromwiderstand 0.65 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7.5 MHz
Design Kit
74477520
100 µH, 0.77 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.77 A
Sättigungsstrom 0.86 A
Gleichstromwiderstand 0.43 Ω
Eigenresonanzfrequenz 8 MHz
Design Kit
74477620
100 µH, 1.02 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 1.02 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Gleichstromwiderstand 0.35 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7.5 MHz
Design Kit
7447732210
100 µH, 0.24 A, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.24 A
Performance Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.41 A
Sättigungsstrom 1 0.41 A
Sättigungsstrom @ 30% 0.47 A
Gleichstromwiderstand 2.8 Ω
Eigenresonanzfrequenz 12 MHz
Design Kit
744774212
120 µH, 0.49 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.49 A
Sättigungsstrom 0.63 A
Gleichstromwiderstand 0.93 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Design Kit
744775210
120 µH, 0.67 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.67 A
Sättigungsstrom 0.81 A
Gleichstromwiderstand 0.47 Ω
Eigenresonanzfrequenz 7 MHz
Design Kit
744776212
120 µH, 0.94 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.94 A
Sättigungsstrom 0.99 A
Gleichstromwiderstand 0.4 Ω
Eigenresonanzfrequenz 6.5 MHz
Design Kit
744774215
150 µH, 0.46 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.46 A
Sättigungsstrom 0.54 A
Gleichstromwiderstand 1.1 Ω
Eigenresonanzfrequenz 6.5 MHz
Design Kit
744775215
150 µH, 0.6 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.71 A
Gleichstromwiderstand 0.64 Ω
Eigenresonanzfrequenz 6.2 MHz
Design Kit
744776215
150 µH, 0.81 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.81 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Gleichstromwiderstand 0.47 Ω
Eigenresonanzfrequenz 6 MHz
Design Kit
744774218
180 µH, 0.42 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Nennstrom 0.42 A
Sättigungsstrom 0.5 A
Gleichstromwiderstand 1.38 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5.8 MHz
Design Kit
744775218
180 µH, 0.55 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Nennstrom 0.55 A
Sättigungsstrom 0.57 A
Gleichstromwiderstand 0.71 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5.8 MHz
Design Kit
744776218
180 µH, 0.76 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Nennstrom 0.76 A
Sättigungsstrom 0.78 A
Gleichstromwiderstand 0.63 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5.4 MHz
Design Kit
744774222
220 µH, 0.42 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.42 A
Sättigungsstrom 0.47 A
Gleichstromwiderstand 1.57 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Design Kit
744775222
220 µH, 0.51 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.51 A
Sättigungsstrom 0.56 A
Gleichstromwiderstand 0.96 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5.4 MHz
Design Kit
744776222
220 µH, 0.67 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.67 A
Sättigungsstrom 0.77 A
Gleichstromwiderstand 0.73 Ω
Eigenresonanzfrequenz 5 MHz
Design Kit
744775227
270 µH, 0.47 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 270 µH
Nennstrom 0.47 A
Sättigungsstrom 0.51 A
Gleichstromwiderstand 1.11 Ω
Eigenresonanzfrequenz 4.7 MHz
Design Kit
744776227
270 µH, 0.62 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 270 µH
Nennstrom 0.62 A
Sättigungsstrom 0.68 A
Gleichstromwiderstand 0.97 Ω
Eigenresonanzfrequenz 4.3 MHz
Design Kit
744775233
330 µH, 0.43 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.48 A
Gleichstromwiderstand 1.26 Ω
Eigenresonanzfrequenz 4.2 MHz
Design Kit
744776233
330 µH, 0.52 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.52 A
Sättigungsstrom 0.59 A
Gleichstromwiderstand 1.15 Ω
Eigenresonanzfrequenz 4.1 MHz
Design Kit
744775239
390 µH, 0.38 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 390 µH
Nennstrom 0.38 A
Sättigungsstrom 0.43 A
Gleichstromwiderstand 1.77 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3.9 MHz
Design Kit
744776239
390 µH, 0.49 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 390 µH
Nennstrom 0.49 A
Sättigungsstrom 0.54 A
Gleichstromwiderstand 1.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3.9 MHz
Design Kit
744775247
470 µH, 0.36 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.36 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 1.96 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3.4 MHz
Design Kit
744776247
470 µH, 0.44 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.44 A
Sättigungsstrom 0.5 A
Gleichstromwiderstand 1.48 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3.4 MHz
Design Kit
744776256
560 µH, 0.39 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 560 µH
Nennstrom 0.39 A
Sättigungsstrom 0.47 A
Gleichstromwiderstand 1.9 Ω
Eigenresonanzfrequenz 3 MHz
Design Kit
744776260
600 µH, 0.7 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 600 µH
Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 0.6 A
Gleichstromwiderstand 1.39 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.9 MHz
Design Kit
744776268
680 µH, 0.36 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.36 A
Sättigungsstrom 0.43 A
Gleichstromwiderstand 2.25 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.7 MHz
Design Kit
744776282
820 µH, 0.32 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 820 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.41 A
Gleichstromwiderstand 2.55 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.5 MHz
Design Kit
74477530
1000 µH, 0.3 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.3 A
Gleichstromwiderstand 3.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.4 MHz
Design Kit
74477630
1000 µH, 0.32 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.32 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 2.6 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.3 MHz
Design Kit
744776312
1200 µH, 0.3 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1200 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Gleichstromwiderstand 3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 2.1 MHz
Design Kit
744776322
2200 µH, 0.18 A, –
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2200 µH
Nennstrom 0.18 A
Sättigungsstrom 0.26 A
Gleichstromwiderstand 5.3 Ω
Eigenresonanzfrequenz 1.4 MHz
Design Kit

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