Anwendung

  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten
  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte

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IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 8.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.82 µH
Nennstrom8.8 A
Sättigungsstrom11 A
Gleichstromwiderstand9.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53.5 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 7.8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom7.8 A
Sättigungsstrom10 A
Gleichstromwiderstand13.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Nennstrom9 A
Sättigungsstrom9.6 A
Gleichstromwiderstand11.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz44.5 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.5 µH
Nennstrom6.7 A
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand21.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom6 A
Sättigungsstrom9 A
Gleichstromwiderstand27.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31.5 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Nennstrom7.5 A
Sättigungsstrom7.5 A
Gleichstromwiderstand16.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom7 A
Gleichstromwiderstand38.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz23 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom7.3 A
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz22 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom4.1 A
Sättigungsstrom5.5 A
Gleichstromwiderstand63 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
Bauform5020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom5.5 A
Sättigungsstrom5.4 A
Gleichstromwiderstand34.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18.5 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom5.7 A
Gleichstromwiderstand48.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15.5 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom4.4 A
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand57.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Bauform5030 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.3 A
Sättigungsstrom4.8 A
Gleichstromwiderstand70.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
Bauform5030