Design Kit Design Kits Power Magnetics
NEUArtikel Nr. 7443835
Anwendung
- Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten
- DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
- Point of Load (POL)- Wandler
- Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
- Mainboards /Grafikkarten
- Wi-Fi-Kommunikationsgeräte
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 8.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.82 µH | Nennstrom8.8 A | Sättigungsstrom11 A | Gleichstromwiderstand9.6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz53.5 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 7.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom7.8 A | Sättigungsstrom10 A | Gleichstromwiderstand13.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Nennstrom9 A | Sättigungsstrom9.6 A | Gleichstromwiderstand11.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz44.5 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Nennstrom6.7 A | Sättigungsstrom9.5 A | Gleichstromwiderstand21.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom6 A | Sättigungsstrom9 A | Gleichstromwiderstand27.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz31.5 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 7.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Nennstrom7.5 A | Sättigungsstrom7.5 A | Gleichstromwiderstand16.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom5 A | Sättigungsstrom7 A | Gleichstromwiderstand38.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz23 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Nennstrom6.2 A | Sättigungsstrom7.3 A | Gleichstromwiderstand23 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom4.1 A | Sättigungsstrom5.5 A | Gleichstromwiderstand63 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | Bauform5020 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Nennstrom5.5 A | Sättigungsstrom5.4 A | Gleichstromwiderstand34.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18.5 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 4.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Nennstrom4.3 A | Sättigungsstrom5.7 A | Gleichstromwiderstand48.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz15.5 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | Nennstrom4.4 A | Sättigungsstrom5 A | Gleichstromwiderstand57.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform5030 | ||||
| WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom3.3 A | Sättigungsstrom4.8 A | Gleichstromwiderstand70.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | Bauform5030 |
