Design Kit WE-PD2A SMT-Speicherdrosseln

Artikel Nr. 784775

Merkmale

  • 2 Bauformen, 35 Werte, 350 Bauteile
  • Automotive approved

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L (µH)
IR (A)
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Muster
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.3 A
Sättigungsstrom 2.95 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.98 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.98 A
Sättigungsstrom 3.24 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 12 µH, 2.18 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 12 µH
Nennstrom 2.18 A
Sättigungsstrom 2.23 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.93 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.93 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 1.89 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 1.89 A
Sättigungsstrom 2.14 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 2.36 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 18 µH
Nennstrom 2.36 A
Sättigungsstrom 2.43 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.76 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.76 A
Sättigungsstrom 1.81 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 2.04 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 2.04 A
Sättigungsstrom 2.07 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.48 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 1.48 A
Sättigungsstrom 1.62 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 1.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 27 µH
Nennstrom 1.95 A
Sättigungsstrom 1.98 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 1.47 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.78 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.78 A
Sättigungsstrom 1.89 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 39 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 1.33 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 39 µH, 1.62 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 39 µH
Nennstrom 1.62 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.17 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.17 A
Sättigungsstrom 1.24 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.45 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.45 A
Sättigungsstrom 1.62 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 56 µH, 1.36 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 1.36 A
Sättigungsstrom 1.53 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 0.99 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 0.99 A
Sättigungsstrom 1.05 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.19 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 1.19 A
Sättigungsstrom 1.49 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 0.95 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 1.11 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 1.11 A
Sättigungsstrom 1.17 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.77 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.77 A
Sättigungsstrom 0.86 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.02 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 1.02 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 120 µH, 0.94 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 120 µH
Nennstrom 0.94 A
Sättigungsstrom 0.99 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.71 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 0.81 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 0.81 A
Sättigungsstrom 0.9 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 180 µH, 0.55 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Nennstrom 0.55 A
Sättigungsstrom 0.57 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 180 µH, 0.76 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 180 µH
Nennstrom 0.76 A
Sättigungsstrom 0.78 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.51 A
Sättigungsstrom 0.56 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.67 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.67 A
Sättigungsstrom 0.77 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 270 µH, 0.47 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 270 µH
Nennstrom 0.47 A
Sättigungsstrom 0.51 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.52 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.52 A
Sättigungsstrom 0.59 A
Bauform 1054 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 390 µH, 0.38 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 390 µH
Nennstrom 0.38 A
Sättigungsstrom 0.43 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.36 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.36 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Bauform 7850 
WE-PD2A SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.44 A
Sättigungsstrom 0.5 A
Bauform 1054