Artikeldaten

Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel in 0 Produktserien anzeigen
 Artikel in 0 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
MusterVerfügbarkeit & Muster
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 16 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom16 A
Sättigungsstrom32 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz328 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 0.22 µH, 19 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.22 µH
Nennstrom19 A
Sättigungsstrom20 A
Gleichstromwiderstand1.95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz337 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 0.5 µH, 13.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.5 µH
Nennstrom13.2 A
Sättigungsstrom23 A
Gleichstromwiderstand5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz182 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 0.5 µH, 18.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität0.5 µH
Nennstrom18.5 A
Sättigungsstrom18 A
Gleichstromwiderstand2.65 mΩ
Eigenresonanzfrequenz172 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 1.1 µH, 11.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.1 µH
Nennstrom11.2 A
Sättigungsstrom16 A
Gleichstromwiderstand6.65 mΩ
Eigenresonanzfrequenz116 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 1.1 µH, 16.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.1 µH
Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom16 A
Gleichstromwiderstand3.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz104 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 9.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom9.4 A
Sättigungsstrom13 A
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz86 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 1.8 µH, 14.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1.8 µH
Nennstrom14.5 A
Sättigungsstrom12.8 A
Gleichstromwiderstand4.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz74 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 2.5 µH, 8.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.5 µH
Nennstrom8.4 A
Sättigungsstrom10.5 A
Gleichstromwiderstand10.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 2.5 µH, 13.7 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.5 µH
Nennstrom13.7 A
Sättigungsstrom10.1 A
Gleichstromwiderstand4.95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 3.6 µH, 8.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 µH
Nennstrom8.2 A
Sättigungsstrom8.5 A
Gleichstromwiderstand12.2 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 3.6 µH, 12 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.6 µH
Nennstrom12 A
Sättigungsstrom8.6 A
Gleichstromwiderstand5.95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz46 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 6.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom6.2 A
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand19.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 9.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Nennstrom9.5 A
Sättigungsstrom7.6 A
Gleichstromwiderstand8.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz44 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 5.7 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom5.7 A
Sättigungsstrom7.4 A
Gleichstromwiderstand22.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz36 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 6.2 µH, 9.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.2 µH
Nennstrom9.4 A
Sättigungsstrom6.7 A
Gleichstromwiderstand9.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 7.2 µH, 7.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität7.2 µH
Nennstrom7.9 A
Sättigungsstrom6 A
Gleichstromwiderstand12.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz31 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 5.05 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Nennstrom5.05 A
Sättigungsstrom5.8 A
Gleichstromwiderstand28.6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
Bauform1045 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 9.1 µH, 7.35 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität9.1 µH
Nennstrom7.35 A
Sättigungsstrom5.4 A
Gleichstromwiderstand14.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 11 µH, 6.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität11 µH
Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom5.3 A
Gleichstromwiderstand15.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 13 µH, 5.85 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität13 µH
Nennstrom5.85 A
Sättigungsstrom4.5 A
Gleichstromwiderstand22.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 5.45 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom5.45 A
Sättigungsstrom4 A
Gleichstromwiderstand25.8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 18 µH, 5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität18 µH
Nennstrom5 A
Sättigungsstrom3.8 A
Gleichstromwiderstand34.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 4.7 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom4.7 A
Sättigungsstrom3.5 A
Gleichstromwiderstand37.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz17 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 24 µH, 4.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität24 µH
Nennstrom4.5 A
Sättigungsstrom3.25 A
Gleichstromwiderstand39.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-PDF SMT-Speicherdrossel, 27 µH, 4.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität27 µH
Nennstrom4.3 A
Sättigungsstrom3.1 A
Gleichstromwiderstand42.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz15 MHz
Bauform1064 
Verfügbarkeit prüfen