Anwendung

  • Schaltregler mit Ausgangsleistungen von 0.1 W bis 300 W
  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Ideal für Schaltregler mit extrem hohem Wirkungsgrad (>95%)

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
Bauform
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 6.84 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 6.84 A
Sättigungsstrom 10.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 5.3 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom 10 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom 6.5 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 4.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 4.8 A
Sättigungsstrom 8 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 3.2 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.16 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 3.16 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 3.6 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 2.6 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 3.8 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.1 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.41 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.41 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.41 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.41 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.85 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.03 A
Sättigungsstrom 1.1 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.03 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.03 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 1.7 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.79 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.79 A
Sättigungsstrom 0.75 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.79 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.79 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.97 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.97 A
Sättigungsstrom 1.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.44 A
Sättigungsstrom 0.54 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.44 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.44 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.63 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 0.63 A
Sättigungsstrom 0.81 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.29 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.29 A
Sättigungsstrom 0.34 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.29 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.29 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.55 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.2 A
Sättigungsstrom 0.25 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.2 A
Bauform 7345 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.3 A
Sättigungsstrom 0.38 A
Bauform 7345