Anwendung

  • Schaltregler mit Ausgangsleistungen von 0.1 W bis 300 W
  • Integrierte DC/DC-Wandler
  • Ideal für Schaltregler mit extrem hohem Wirkungsgrad (>95%)

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L (µH)
IR (A)
ISAT (A)
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Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 6.2 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 10 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 10 A
Sättigungsstrom 12.5 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 5.1 A
Sättigungsstrom 8.5 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 8.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 8.6 A
Sättigungsstrom 9.5 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 4.6 A
Sättigungsstrom 7.2 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 7.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 7.5 A
Sättigungsstrom 9 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 6 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 7 A
Sättigungsstrom 8 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 6 A
Sättigungsstrom 7.2 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 5.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 5.2 A
Sättigungsstrom 5.8 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 4.7 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 4.1 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 4.3 A
Sättigungsstrom 5 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.4 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 3.5 A
Sättigungsstrom 4.1 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 1.7 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 3 A
Sättigungsstrom 3.6 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 1.35 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 1.35 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 2.9 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1.9 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 56 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 56 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 2.3 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 68 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 68 µH
Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 82 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 82 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 1.85 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 100 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 100 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 1.8 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 150 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 150 µH
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 220 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 1.2 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.48 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.48 A
Sättigungsstrom 0.73 A
Bauform 1030 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 330 µH, 0.71 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 330 µH
Nennstrom 0.71 A
Sättigungsstrom 1 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 470 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 470 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 0.82 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.51 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 680 µH
Nennstrom 0.51 A
Sättigungsstrom 0.71 A
Bauform 1050 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1000 µH, 0.43 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1000 µH
Nennstrom 0.43 A
Sättigungsstrom 0.55 A
Bauform 1050