Design Kit WE-XHMI - Molded Power Inductor 10xx/15xx
Artikel Nr. 7443936
Anwendung
- DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
- DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
- Stromversorgungen von mobilen Geräten
- Point of Load (POL)-Wandler
- Mainboards/ Grafikkarten
- CPU/ RAM Stromversorgung
- Wifi Kommunikationsgeräte
- Filter
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Alle zurücksetzenArtikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | RDC max.(mΩ) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | Bauform | Muster |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 1.61 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität1 µH | Gleichstromwiderstand1.61 mΩ | Performance Nennstrom48.2 A | Sättigungsstrom @ 30%55.3 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.74 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Gleichstromwiderstand3.74 mΩ | Performance Nennstrom24.95 A | Sättigungsstrom @ 30%34 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.5 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand5.5 mΩ | Performance Nennstrom20 A | Sättigungsstrom @ 30%28.05 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.41 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Gleichstromwiderstand3.41 mΩ | Performance Nennstrom29.7 A | Sättigungsstrom @ 30%47.4 A | Bauform1510 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 6.49 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität5.6 µH | Gleichstromwiderstand6.49 mΩ | Performance Nennstrom18.15 A | Sättigungsstrom @ 30%24.45 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 7.88 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität6.8 µH | Gleichstromwiderstand7.88 mΩ | Performance Nennstrom16.3 A | Sättigungsstrom @ 30%23.25 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 7.04 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand7.04 mΩ | Performance Nennstrom19.6 A | Sättigungsstrom @ 30%31.2 A | Bauform1510 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 12.1 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Gleichstromwiderstand12.1 mΩ | Performance Nennstrom12.7 A | Sättigungsstrom @ 30%20.3 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 11.55 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Gleichstromwiderstand11.55 mΩ | Performance Nennstrom14.7 A | Sättigungsstrom @ 30%26.1 A | Bauform1510 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 16.28 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität15 µH | Gleichstromwiderstand16.28 mΩ | Performance Nennstrom10.75 A | Sättigungsstrom @ 30%16.95 A | Bauform1090 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, 13.75 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität22 µH | Gleichstromwiderstand13.75 mΩ | Performance Nennstrom13.35 A | Sättigungsstrom @ 30%22.35 A | Bauform1510 | ||||
| WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 33 µH, 19.8 mΩ | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität33 µH | Gleichstromwiderstand19.8 mΩ | Performance Nennstrom10.8 A | Sättigungsstrom @ 30%18.15 A | Bauform1510 |
