Design Kit WE-XHMI - Molded Power Inductor 10xx/15xx

Artikel Nr. 7443936

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Stromversorgungen von mobilen Geräten
  • Point of Load (POL)-Wandler
  • Mainboards/ Grafikkarten
  • CPU/ RAM Stromversorgung
  • Wifi Kommunikationsgeräte
  • Filter

Artikeldaten

Artikeldaten filtern
Filtern nach
 Artikel in 0 Produktserien anzeigen
 Artikel in 0 Produktserien
Alle zurücksetzen
Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
RDC max.(mΩ)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
Bauform
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 1 µH, 1.61 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität1 µH
Gleichstromwiderstand1.61 mΩ
Performance Nennstrom48.2 A
Sättigungsstrom @ 30%55.3 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 3.3 µH, 3.74 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Gleichstromwiderstand3.74 mΩ
Performance Nennstrom24.95 A
Sättigungsstrom @ 30%34 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 5.5 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand5.5 mΩ
Performance Nennstrom20 A
Sättigungsstrom @ 30%28.05 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 4.7 µH, 3.41 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Gleichstromwiderstand3.41 mΩ
Performance Nennstrom29.7 A
Sättigungsstrom @ 30%47.4 A
Bauform1510 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 5.6 µH, 6.49 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität5.6 µH
Gleichstromwiderstand6.49 mΩ
Performance Nennstrom18.15 A
Sättigungsstrom @ 30%24.45 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 6.8 µH, 7.88 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.8 µH
Gleichstromwiderstand7.88 mΩ
Performance Nennstrom16.3 A
Sättigungsstrom @ 30%23.25 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 7.04 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand7.04 mΩ
Performance Nennstrom19.6 A
Sättigungsstrom @ 30%31.2 A
Bauform1510 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 10 µH, 12.1 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Gleichstromwiderstand12.1 mΩ
Performance Nennstrom12.7 A
Sättigungsstrom @ 30%20.3 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 11.55 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand11.55 mΩ
Performance Nennstrom14.7 A
Sättigungsstrom @ 30%26.1 A
Bauform1510 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 15 µH, 16.28 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Gleichstromwiderstand16.28 mΩ
Performance Nennstrom10.75 A
Sättigungsstrom @ 30%16.95 A
Bauform1090 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 22 µH, 13.75 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Gleichstromwiderstand13.75 mΩ
Performance Nennstrom13.35 A
Sättigungsstrom @ 30%22.35 A
Bauform1510 
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 33 µH, 19.8 mΩ
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität33 µH
Gleichstromwiderstand19.8 mΩ
Performance Nennstrom10.8 A
Sättigungsstrom @ 30%18.15 A
Bauform1510