Design Kit WE-MAPI SMT-Speicherdrossel 3010/3012/3015/3020

Artikel Nr. 7443833

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte
  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten

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Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Nennstrom 4.8 A
Sättigungsstrom 11.1 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 5.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Nennstrom 5.5 A
Sättigungsstrom 8.3 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 9.4 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 4.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 4.8 A
Sättigungsstrom 8 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 3.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Nennstrom 3.6 A
Sättigungsstrom 8.5 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Nennstrom 3.5 A
Sättigungsstrom 7.7 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 4.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Nennstrom 4.5 A
Sättigungsstrom 6.2 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.75 A
Sättigungsstrom 6.6 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.7 A
Sättigungsstrom 4.5 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 4 A
Sättigungsstrom 5 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 2.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 2.65 A
Sättigungsstrom 6 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 3.9 A
Sättigungsstrom 4.75 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 2 A
Sättigungsstrom 5.7 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 3.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 3.7 A
Sättigungsstrom 4.5 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 3.9 A
Bauform 3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 5 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 4.3 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 2.95 A
Bauform 3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.4 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.7 A
Sättigungsstrom 3.2 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 4.25 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 2.4 A
Bauform 3010 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 3.8 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.5 A
Sättigungsstrom 2.8 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 3.9 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 3 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.88 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.88 A
Sättigungsstrom 2.7 A
Bauform 3012 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.1 A
Sättigungsstrom 2.4 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.85 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 2 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 1.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 1.2 A
Sättigungsstrom 2.35 A
Bauform 3020 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 0.65 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 15 µH
Nennstrom 0.65 A
Sättigungsstrom 1.71 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 22 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 33 µH, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 33 µH
Nennstrom 0.5 A
Sättigungsstrom 1.3 A
Bauform 3015 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 47 µH, 0.39 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 47 µH
Nennstrom 0.39 A
Sättigungsstrom 1.18 A
Bauform 3015