Design Kit WE-MAPI Metal Alloy Power Inductor 2506/2508/2510/2512

Artikel Nr. 7443832

Anwendung

  • DC/DC-Wandler für hohe Ströme in Netzteilen
  • DC/DC-Wandler für Field Programmable Gate Arrays (FPGA)
  • Point of Load (POL)- Wandler
  • Tragbare Geräte Digitalkamera sowie batteriebetriebene Geräte
  • Mainboards /Grafikkarten
  • CPU/RAM Stromversorgung
  • Wi-Fi-Kommunikationsgeräte
  • Stromversorgungen von Smartphones, Tablet-PCs und anderen mobilen Geräten

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L (µH)
IR (A)
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Muster
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.33 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.33 µH
Nennstrom 3.4 A
Sättigungsstrom 6.2 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.7 A
Bauform 2506 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 2.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 2.25 A
Sättigungsstrom 4.4 A
Bauform 2508 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 3.2 A
Sättigungsstrom 5.5 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.47 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.47 µH
Nennstrom 3.4 A
Sättigungsstrom 6.25 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 3.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.56 µH
Nennstrom 3.3 A
Sättigungsstrom 6 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Nennstrom 3.1 A
Sättigungsstrom 4.7 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 3.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.68 µH
Nennstrom 3.2 A
Sättigungsstrom 5.85 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.82 µH, 2.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 0.82 µH
Nennstrom 2.6 A
Sättigungsstrom 4.25 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 2506 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 1.75 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 1.75 A
Sättigungsstrom 3.35 A
Bauform 2508 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.5 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.5 A
Sättigungsstrom 4 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 2.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1 µH
Nennstrom 2.8 A
Sättigungsstrom 4.9 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 1.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 1.9 A
Sättigungsstrom 3.8 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 2.4 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.2 µH
Nennstrom 2.4 A
Sättigungsstrom 4.5 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 1.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 1.8 A
Sättigungsstrom 3.5 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 2.2 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 1.5 µH
Nennstrom 2.2 A
Sättigungsstrom 3.7 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.34 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.34 A
Sättigungsstrom 2.2 A
Bauform 2508 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 2.5 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 2.2 µH
Nennstrom 1.6 A
Sättigungsstrom 2.9 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.25 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.25 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 1.3 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 3.3 µH
Nennstrom 1.3 A
Sättigungsstrom 2.6 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 0.94 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 0.94 A
Sättigungsstrom 1.75 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 1 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 4.7 µH
Nennstrom 1 A
Sättigungsstrom 2.1 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 5.6 µH, 0.95 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 5.6 µH
Nennstrom 0.95 A
Sättigungsstrom 1.75 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.85 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.85 A
Sättigungsstrom 1.55 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 6.8 µH, 0.9 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 6.8 µH
Nennstrom 0.9 A
Sättigungsstrom 1.6 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 1.45 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 0.8 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 8.2 µH
Nennstrom 0.8 A
Sättigungsstrom 1.5 A
Bauform 2512 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.6 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.6 A
Sättigungsstrom 1.35 A
Bauform 2510 
WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.7 A
Simu­lation
Status Aktiv i | Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität 10 µH
Nennstrom 0.7 A
Sättigungsstrom 1.4 A
Bauform 2512