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Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 2.8-36 V |
| Ausgang 1 | 36 V |
| IC-Revision | 0.2 |
Beschreibung
XR4981A is a high efficiency synchronous boost controller that converts from 2.8V~36V input range and up to 36Voutput voltage with two outside N-channel MOSFETs for the synchronous switches.The XR4981A includes adjustable current limit, adjustable soft-start, adjustable compensation net and thermal shutdown preventing damage in the event of an output overload.For different application we can select suitable compensation net、current limit soft start and select suitable MOSFET toobtain a high efficiency
Eigenschaften
- 2.8V~36V input voltage range
- Adjustable output voltage from 5V to 36V
- 1.21V VFB reference voltage
- Adjustable current limit
- Adjustable soft-start
- Adjustable compensation net
- Input under voltage lockout
- 400KHz fixed switching frequency
- Thermal shutdown
- QFN3x3-16 Package Rohs Compliant and Halogen Free
Typische Anwendungen
- 5V/9V/12V BUS Power Supply / Power Amplify Device
- Type C USB Device
- Power Bank
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | LR(µH) | RDC typ.(mΩ) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom10.2 A | Sättigungsstrom 15.6 A | Sättigungsstrom @ 30%13 A | Gleichstromwiderstand11.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz52 MHz | MaterialSuperflux | Gleichstromwiderstand12.54 mΩ | Nenninduktivität1.75 µH | – | MontageartSMT | ||||
 | WE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 17.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom17.4 A | Sättigungsstrom 122.5 A | Sättigungsstrom @ 30%25.6 A | – | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | MaterialFerrite | Gleichstromwiderstand4.8 mΩ | Nenninduktivität2.1 µH | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | MontageartSMT | ||||
 | WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 21.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-XHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom21.85 A | Sättigungsstrom 112.55 A | Sättigungsstrom @ 30%26.45 A | Gleichstromwiderstand3.7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | – | Gleichstromwiderstand4.07 mΩ | – | Gleichstromwiderstand3.7 mΩ | MontageartSMT | ||||
 | WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom9.9 A | Sättigungsstrom 110.5 A | Sättigungsstrom @ 30%19.1 A | – | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | – | Gleichstromwiderstand12 mΩ | – | Gleichstromwiderstand11.2 mΩ | MontageartSMT | ||||
| WE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 14.3 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom14.3 A | Sättigungsstrom 118.1 A | Sättigungsstrom @ 30%38.7 A | – | Eigenresonanzfrequenz27 MHz | – | Gleichstromwiderstand7 mΩ | – | Gleichstromwiderstand6.5 mΩ | MontageartSMT |