IC-Hersteller XYSemi

IC-Hersteller (104)

XYSemi XR4981A

SYNCHRONOUS BOOST CONTROLLER 2.8V~36V Input 5V~36V Output, Extended NMOS

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung2.8-36 V
Ausgang 136 V
IC-Revision0.2

Beschreibung

XR4981A is a high efficiency synchronous boost controller that converts from 2.8V~36V input range and up to 36Voutput voltage with two outside N-channel MOSFETs for the synchronous switches.The XR4981A includes adjustable current limit, adjustable soft-start, adjustable compensation net and thermal shutdown preventing damage in the event of an output overload.For different application we can select suitable compensation net、current limit soft start and select suitable MOSFET toobtain a high efficiency

Eigenschaften

  • 2.8V~36V input voltage range
  • Adjustable output voltage from 5V to 36V
  • 1.21V VFB reference voltage
  • Adjustable current limit
  • Adjustable soft-start
  • Adjustable compensation net
  • Input under voltage lockout
  • 400KHz fixed switching frequency
  • Thermal shutdown
  • QFN3x3-16 Package Rohs Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • 5V/9V/12V BUS Power Supply / Power Amplify Device
  • Type C USB Device
  • Power Bank

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC max.(mΩ)
LR(µH)
RDC typ.(mΩ)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 10.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom10.2 A
Sättigungsstrom 15.6 A
Sättigungsstrom @ 30%13 A
Gleichstromwiderstand11.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz52 MHz
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
Gleichstromwiderstand12.54 mΩ
Nenninduktivität1.75 µH
MontageartSMT 
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SPECWE-HCC SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 17.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom17.4 A
Sättigungsstrom 122.5 A
Sättigungsstrom @ 30%25.6 A
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
MaterialFerrite 
Verpackungseinheit400 
Gleichstromwiderstand4.8 mΩ
Nenninduktivität2.1 µH
Gleichstromwiderstand4.6 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 21.85 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom21.85 A
Sättigungsstrom 112.55 A
Sättigungsstrom @ 30%26.45 A
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand4.07 mΩ
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
MontageartSMT 
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SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom9.9 A
Sättigungsstrom 110.5 A
Sättigungsstrom @ 30%19.1 A
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Verpackungseinheit800 
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Gleichstromwiderstand11.2 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 14.3 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom14.3 A
Sättigungsstrom 118.1 A
Sättigungsstrom @ 30%38.7 A
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
Verpackungseinheit500 
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Gleichstromwiderstand6.5 mΩ
MontageartSMT 
Verfügbarkeit prüfen