IC-Hersteller XYSemi

IC-Hersteller (103)

XYSemi XP4801

SYNCHRONOUS BUCK CONTROLLER 5V~36V Input, Extended NMOS

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung12-24 V
Schaltfrequenz260-400 kHz
Ausgang 15 V / 4 A
IC-Revision02

Beschreibung

XP4801 is a high efficiency synchronous buck controller that converts from 5V ~36V input range and up to 36V output voltage with two outside N-channel MOSFETs for the synchronous switches. The XP4801 includes adjustable current limit, adjustable soft-start time & switching frequency, adjustable compensation net and thermal shutdown preventing damage in the event of an output overload. For different application we can select suitable compensation net, current limit, soft start, switching frequency and select suitable MOSFET to obtain a high efficiency

Eigenschaften

  • 5V~36V input voltage range
  • Adjustable output voltage from 1.21V to 36V
  • 1.21V feed back reference voltage
  • Adjustable input current limit
  • Adjustable soft-start time
  • Adjustable compensation net
  • Input under voltage lockout
  • Adjustable switching frequency
  • Thermal shutdown
  • QFN3x3-16 Package
  • Rohs Compliant and Halogen Free

Typische Anwendungen

  • Type C USB Device
  • Portable Class D Device
  • Power Bank / Power Amplify Device / 5V/9V/12V BUS Power Supply

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
RDC typ.(mΩ)
RDC max.(mΩ)
Montageart
Muster
WE-XHMI SMT Speicherdrossel, 2.2 µH, 21.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom21.85 A
Sättigungsstrom 112.55 A
Sättigungsstrom @ 30%26.45 A
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Gleichstromwiderstand3.7 mΩ
Gleichstromwiderstand4.07 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.5 µH, 11 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität6.5 µH
Performance Nennstrom11 A
Sättigungsstrom 14.4 A
Sättigungsstrom @ 30%10 A
Gleichstromwiderstand12.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz27 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand13.75 mΩ
MontageartSMT 
WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 5.3 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom5.3 A
Sättigungsstrom 11.8 A
Sättigungsstrom @ 30%4 A
Gleichstromwiderstand33 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialSuperflux 
Gleichstromwiderstand36.3 mΩ
MontageartSMT