IC-Hersteller XYSemi

IC-Hersteller (103)

XYSemi XP4201

2A, 200K~2MHz, 40V Step-Down Converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4-40 V
Schaltfrequenz200-2000 kHz
Ausgang 15 V / 2 A
IC-Revision0.5

Beschreibung

The XP4201 is a high frequency step-downswitching regulator with integrated internalhigh-side high voltage power MOSFET. Itprovides 2A output with current modecontrol for fast loop response and easycompensation

Eigenschaften

 Wide 4V to 40V Operating Input Range

  • 200mohm Internal Power MOSFET
  • 200K~2MHz Programmable SwitchingFrequency
  • Low Quiescent Current 350uA
  • Low Shut down Current <1uA
  • Adjustable Output Voltage from 0.8V to36V
  • Ceramic Capacitor Stable
  • Internal Soft-Start
  • Up to 95% Efficiency
  • Under Voltage Lockout, Over Current,Short Current, and Thermal Protection
  • Operating Temperature: -40oC to +85°C
  • Available in SOP8-PP Package
  • RoHS Compliant and 100% Lead(Pb)-Free

Typische Anwendungen

  • Industrial Power Systems
  • Automotive Systems
  • High Voltage Power Conversion
  • Distributed Power Systems
  • Battery Powered Systems

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
fres(MHz)
Montageart
IRP,40K(A)
RDC max.(mΩ)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Eigenresonanzfrequenz45 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom4.2 A
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform7332 
VersionRobust 
WE-TPC SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 3.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom3.9 A
Sättigungsstrom4 A
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MontageartSMT 
Gleichstromwiderstand35 mΩ
Bauform1038 
VersionSMT 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 4.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Nennstrom4.2 A
Sättigungsstrom4.5 A
Eigenresonanzfrequenz16.6 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom7 A
Gleichstromwiderstand28 mΩ
Bauform1260 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 22 µH, 3.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Nennstrom3.5 A
Sättigungsstrom3.7 A
Eigenresonanzfrequenz13.5 MHz
MontageartSMT 
Performance Nennstrom6 A
Gleichstromwiderstand36 mΩ
Bauform1260 
VersionGestanzt