| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 1.0 |
DC/DC Module
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR 1(mA) | IR 2(mA) | ISAT(mA) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Typ | H(mm) | B(mm) | Muster | |
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![]() | WE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 10 µH, 600 mA | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität | Induktivität10 µH | Nennstrom 1600 mA | Nennstrom 2900 mA | Sättigungsstrom120 mA | Gleichstromwiderstand300 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | TypLow RDC | Höhe1.25 mm | Breite1.2 mm |