IC-Hersteller Transphorm

IC-Hersteller (103)

Transphorm SI8230BB-D-IS1 | Demoboard TDHB-65H070L-DC

TDHBG1200DC100: 1.2 kW Half-bridge Evaluation Board

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung0-5 V
Schaltfrequenz50-300 kHz
IC-Revision1

Beschreibung

The TDHBG1200DC100 half-bridge evaluation board provides the elements of a simple buck or boost converter, using theTransphorm Daughter Card TDHB-65H070L-DC for basic study of switching characteristics and efficiency achievable withTransphorm’s 650V GaN FETs in the standard 8x8 PQFN package. In either buck or boost mode the circuit can be configured for synchronous rectification. Jumpers allow use of a single logic input or separate hi/lo inputs. The high-voltage input and output can operate at up to 400Vdc, with a power output of up to 1.2kW. The inductor provided is intended for efficient operation at 100kHz, although other inductors and other frequencies may be easily used.

Eigenschaften

  • Power: 1.2 kW (TDHBG1200DC100-KIT)
  • Switching frequency: 50kHz-300kHz (variable)
  • Features TP65H070L
  • Easy-to-use platform to investigate GaN

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Wicklungstyp
L(µH)
Z @ 100 MHz(Ω)
IR(mA)
RDC max.(Ω)
VR(V (DC))
VT(V (AC))
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 25 V(DC), 100 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±10% 
Bauform1206 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge3.2 mm
Breite1.6 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.6 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
Nennspannung25 V (DC)
WE-CNSW Stromkompensierter SMT Line Filter, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1812 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.8 mm
Wicklungstypbifilar 
Induktivität1.3 µH
Impedanz @ 100 MHz800 Ω
Nennstrom1000 mA
Gleichstromwiderstand0.12 Ω
Nennspannung60 V (DC)
Prüfspannung125 V (AC)