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IC-Hersteller Toshiba

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignTPH2R408QM/TPH1500CNH | Demoboard RD170-RGUIDE-01

Toshiba TPH2R408QM/TPH1500CNH | Demoboard RD170-RGUIDE-01

1 kW Full-Bridge DC-DC Converter

Details

TopologieGegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung90-264 V
Ausgang 150.4 V / 33.33 A
IC-Revision1

Beschreibung

This reference guide describes the specifications, usage, and efficiency properties of 1 kW full-bridge DC-DC converter (this power supply). This power supply is capable of supplying 1 kW power at the DC 54 V output. The input-voltage range is from DC -36 V to -60 V, and it can be used in applications including communication-related equipment, industrial equipment, and various other applications. This reference guide provides various design information including reference design, and contributes to reduction of effort required in designing according to actual specifications.

Eigenschaften

  • High-speed switching
  • Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)
  • Small output charge: Qoss = 90 nC (typ.)
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
  • Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 80 V)
  • Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

Typische Anwendungen

  • High-Efficiency DC-DC Converters, Switching Voltage Regulators, Motor Drivers

Weiterführende Informationen

Von Toshiba freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
LR(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
RESR(mΩ)
ILeak(µA)
Ø D(mm)
IRP,40K(A)
Kernmaterial
MusterVerfügbarkeit & Muster
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885342211010
SPECWCAP-CSMH Mid and High Voltage, 2.2 nF, ±10%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

RF & Microwave Simulationsmodelle

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-CSMH Mid and High Voltage
Kapazität2.2 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung3000 V (DC)
Bauform1812 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
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–Verfügbarkeit prüfen
875076161003
SPECWCAP-PSLC Aluminium-Polymer-Kondensatoren, 22 µF, ±20%
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWCAP-PSLC Aluminium-Polymer-Kondensatoren
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung80 V (DC)
Bauform10.0 x 12.4 
Verlustfaktor12 %
–
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Länge12.4 mm
Breite10.3 mm
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Verpackung15" Tape & Reel 
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Endurance 2000
Rippelstrom2300 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)38 mΩ
Leckstrom352 µA
Durchmesser10 mm
–
–
–Verfügbarkeit prüfen
74404086102
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
–
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–
Bauform8065 
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Länge8 mm
Breite8 mm
Höhe6.5 mm
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Induktivität1000 µH
Nennstrom0.48 A
Sättigungsstrom0.65 A
Gleichstromwiderstand2350 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.39 MHz
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–Verfügbarkeit prüfen
7443091100
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
–
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–
Bauform1411 
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Länge14.5 mm
Breite13.5 mm
Höhe10.7 mm
Pad Dimension2.7 mm
–
Induktivität1 µH
Nennstrom34 A
–
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Nenninduktivität0.95 µH
Sättigungsstrom 138.5 A
Sättigungsstrom @ 30%43.5 A
MaterialMnZn 
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–
Performance Nennstrom79 A
KernmaterialMnZn 
–Verfügbarkeit prüfen
7443783533330
SPECWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität
–
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–
Bauform3533 
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Länge34.5 mm
Breite36 mm
Höhe35 mm
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–
Induktivität33 µH
Nennstrom22 A
Sättigungsstrom39.2 A
–
Eigenresonanzfrequenz6.08 MHz
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–
Sättigungsstrom @ 30%39.2 A
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KernmaterialMnZn 
–Verfügbarkeit prüfen
750344423
SPECFull-Bridge, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads–
Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Full-Bridge
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–Verfügbarkeit prüfen