IC-Hersteller Toshiba

IC-Hersteller (103)

Toshiba TPH2R408QM/TPH1500CNH | Demoboard RD170-RGUIDE-01

1 kW Full-Bridge DC-DC Converter

Details

TopologieGegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung90-264 V
Ausgang 150.4 V / 33.33 A
IC-Revision1

Beschreibung

This reference guide describes the specifications, usage, and efficiency properties of 1 kW full-bridge DC-DC converter (this power supply). This power supply is capable of supplying 1 kW power at the DC 54 V output. The input-voltage range is from DC -36 V to -60 V, and it can be used in applications including communication-related equipment, industrial equipment, and various other applications. This reference guide provides various design information including reference design, and contributes to reduction of effort required in designing according to actual specifications.

Eigenschaften

  • High-speed switching
  • Small gate charge: QSW = 28 nC (typ.)
  • Small output charge: Qoss = 90 nC (typ.)
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
  • Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 80 V)
  • Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)

Typische Anwendungen

  • High-Efficiency DC-DC Converters, Switching Voltage Regulators, Motor Drivers

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
LR(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
Endurance(h)
IRIPPLE(mA)
RESR(mΩ)
ILeak(µA)
Ø D(mm)
IRP,40K(A)
Kernmaterial
Muster
WCAP-CSMH Mid and High Voltage, 2.2 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität2.2 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung3000 V (DC)
Bauform1812 
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge4.5 mm
Breite3.2 mm
Höhe2.5 mm
Pad Dimension0.5 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-PSLC Aluminium-Polymer-Kondensatoren, 22 µF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 µF
Kapazität±20% 
Nennspannung80 V (DC)
Bauform10.0 x 12.4 
Verlustfaktor12 %
Länge12.4 mm
Breite10.3 mm
Verpackung15" Tape & Reel 
Endurance 2000
Rippelstrom2300 mA
ESR (Serienersatzwiderstand)38 mΩ
Leckstrom352 µA
Durchmesser10 mm
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform8065 
Länge8 mm
Breite8 mm
Höhe6.5 mm
Induktivität1000 µH
Nennstrom0.48 A
Sättigungsstrom0.65 A
Gleichstromwiderstand2350 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.39 MHz
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform1411 
Länge14.5 mm
Breite13.5 mm
Höhe10.7 mm
Pad Dimension2.7 mm
Induktivität1 µH
Nennstrom34 A
Gleichstromwiderstand0.42 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
Nenninduktivität0.95 µH
Sättigungsstrom 138.5 A
Sättigungsstrom @ 30%43.5 A
MaterialMnZn 
Performance Nennstrom79 A
KernmaterialMnZn 
WE-HCFT THT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform3533 
Länge34.5 mm
Breite36 mm
Höhe35 mm
Induktivität33 µH
Nennstrom22 A
Sättigungsstrom39.2 A
Eigenresonanzfrequenz6.08 MHz
Sättigungsstrom @ 30%39.2 A
KernmaterialMnZn 
750344423
Full-Bridge, –, –
Simu­lation
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Full-Bridge