Toshiba LM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignLM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249

Details

Topologie	Gegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung	36-75 V
IC-Revision	1

Weiterführende Informationen

Produktseite des IC-Herstellers

Artikeldaten

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	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_R(A)	I_SAT(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	Material	VPE	MusterVerfügbarkeit & Muster

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	744314047	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, – Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. SPEC Datenblatt PCN PCN Dokument	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB IGS WE-HCI_7050_744314 (rev1).igs \| 1.8 MB STP WE-HCI_7050_744314 (rev1).stp \| 589.1 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität0.47 µH	–	–	Gleichstromwiderstand1.35 mΩ	Eigenresonanzfrequenz235 MHz	Performance Nennstrom31.9 A	Sättigungsstrom 19 A	Sättigungsstrom @ 30%20 A	MaterialSuperflux	Verpackungseinheit1000	–Verfügbarkeit prüfen
	74435580330	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, – Anstehende PCN Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. SPEC Datenblatt PCN PCN Dokument	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB IGS WE-HCI_2212_7443558 (rev1).igs \| 1.9 MB STP WE-HCI_2212_7443558 (rev1).stp \| 555.6 KB PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität3.3 µH	–	–	Gleichstromwiderstand1.7 mΩ	Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz	Performance Nennstrom33.2 A	Sättigungsstrom 127.5 A	Sättigungsstrom @ 30%45 A	MaterialMnZn	Verpackungseinheit120	–Verfügbarkeit prüfen
	74404064681	SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.35 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien ALT WE-LQS (rev24a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-LQS (rev24b).zip \| 6.2 MB EAG Eagle_WE-LQS (rev24a).lbr \| 135.4 KB KIC KiCad_WE-LQS (rev26b).zip \| 713.7 KB ZUK Cadstar_WE-LQS (rev20b).zip \| 20.4 KB IGS WE-LQS_6045_LQS (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-LQS_6045_LQS (rev1).stp \| 617.6 KB PSP PSpice_WE-LQS (rev23a).zip \| 36.9 KB SCS Spectre_WE-LQS (rev24a).mod \| 42.7 KB	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel	Induktivität680 µH	Nennstrom0.35 A	Sättigungsstrom0.42 A	Gleichstromwiderstand2650 mΩ	Eigenresonanzfrequenz1.95 MHz	–	–	–	–	Verpackungseinheit1500	–Verfügbarkeit prüfen