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IC-Hersteller Toshiba

IC-Hersteller (108)

ReferenzdesignLM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249

Toshiba LM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249

LM5046MH/NOPB, DCL520C00

Details

TopologieGegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung36-75 V
IC-Revision1

Weiterführende Informationen

Von Toshiba freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744314047
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität0.47 µH
–
–
Gleichstromwiderstand1.35 mΩ
Eigenresonanzfrequenz235 MHz
Performance Nennstrom31.9 A
Sättigungsstrom 19 A
Sättigungsstrom @ 30%20 A
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
74435580330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
–
–
Gleichstromwiderstand1.7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz
Performance Nennstrom33.2 A
Sättigungsstrom 127.5 A
Sättigungsstrom @ 30%45 A
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit120 
–Verfügbarkeit prüfen
74404064681
SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.35 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel
Induktivität680 µH
Nennstrom0.35 A
Sättigungsstrom0.42 A
Gleichstromwiderstand2650 mΩ
Eigenresonanzfrequenz1.95 MHz
–
–
–
–
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen

Zusätzlich von Würth Elektronik empfohlene Bauteile

Empfohlene Bauteile sind Alternativen von Würth Elektronik, die nicht offiziell vom IC-Hersteller für dieses Referenzdesign freigegeben sind. Bitte prüfen Sie, ob sie für Ihre Anwendung geeignet sind, und wenden Sie sich an uns, wenn Sie Fragen haben.

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Montageart
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744373240010
SPECWE-LHMI SMT Speicherdrossel, 0.1 µH, 16.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-LHMI SMT Speicherdrossel
Induktivität0.1 µH
Performance Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom 120.9 A
Sättigungsstrom @ 30%37.6 A
Gleichstromwiderstand4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz323 MHz
MontageartSMT 
–Verfügbarkeit prüfen