Toshiba LM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249 | IC-Referenzdesignsuche von Würth Elektronik

IC-Referenzdesignsuche

ReferenzdesignLM5046MH/NOPB, DCL520C00 | Demoboard RD249

Details

Topologie	Gegentaktwandler (Vollbrücken)
Eingangsspannung	36-75 V
IC-Revision	1

Weiterführende Informationen

Produktseite des IC-Herstellers

Artikeldaten

	Artikel Nr.	Datenblatt	Simulation	Downloads	Status	Produktserie	L(µH)	I_R(A)	I_SAT(A)	R_DC(mΩ)	f_res(MHz)	I_RP,40K(A)	I_SAT,10%(A)	I_SAT,30%(A)	Material	VPE	MusterVerfügbarkeit & Muster
	744314047	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 0.47 µH, –	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-HCI_7050_744314 (rev1).igs \| 1.8 MB STP WE-HCI_7050_744314 (rev1).stp \| 589.1 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität0.47 µH	–	–	Gleichstromwiderstand1.35 mΩ	Eigenresonanzfrequenz235 MHz	Performance Nennstrom31.9 A	Sättigungsstrom 19 A	Sättigungsstrom @ 30%20 A	MaterialSuperflux	Verpackungseinheit1000	–Verfügbarkeit prüfen
	74435580330	SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, –	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-HCI (rev25a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-HCI (rev25a).zip \| 11.8 MB EAG Eagle_WE-HCI (rev25a).lbr \| 140.6 KB KIC KiCad_WE-HCI (rev26b).zip \| 1.1 MB ZUK Download_CadStar_WE-HCI (rev19a).zip \| 15.7 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-HCI_2212_7443558 (rev1).igs \| 1.9 MB STP WE-HCI_2212_7443558 (rev1).stp \| 555.6 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-HCI (rev22a).zip \| 22.1 KB SCS Spectre_WE-HCI (rev24a).mod \| 26.8 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität	Induktivität3.3 µH	–	–	Gleichstromwiderstand1.7 mΩ	Eigenresonanzfrequenz26.5 MHz	Performance Nennstrom33.2 A	Sättigungsstrom 127.5 A	Sättigungsstrom @ 30%45 A	MaterialMnZn	Verpackungseinheit120	–Verfügbarkeit prüfen
	74404064681	SPECWE-LQS SMT-Speicherdrossel, 680 µH, 0.35 A	Simulation	Verfügbarkeit –	Downloads9 Dateien EDA-Modelle: Bauteile ZIP ALT WE-LQS (rev24a).IntLib \| 1.1 MB CDS Cadence_WE-LQS (rev24b).zip \| 6.2 MB EAG Eagle_WE-LQS (rev24a).lbr \| 135.4 KB KIC KiCad_WE-LQS (rev26b).zip \| 713.7 KB ZUK Cadstar_WE-LQS (rev20b).zip \| 20.4 KB CAD-Dateien ZIP IGS WE-LQS_6045_LQS (rev1).igs \| 1.2 MB STP WE-LQS_6045_LQS (rev1).stp \| 617.6 KB Elektrische Modelle ZIP PSP PSpice_WE-LQS (rev23a).zip \| 36.9 KB SCS Spectre_WE-LQS (rev24a).mod \| 42.7 KB Alle 9 Dateien als ZIP herunterladen ZIP	Status Aktivi\| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.	ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel	Induktivität680 µH	Nennstrom0.35 A	Sättigungsstrom0.42 A	Gleichstromwiderstand2650 mΩ	Eigenresonanzfrequenz1.95 MHz	–	–	–	–	Verpackungseinheit1500	–Verfügbarkeit prüfen