| Topologie | Sonstige Topologie |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 1.65 A | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom1.65 A | Sättigungsstrom @ 30%3.3 A | Gleichstromwiderstand225 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | –Verfügbarkeit prüfen |
| Erwartete Verfügbarkeit | Eingehender Bestand | Menge |
|---|---|---|
| Aktuelle Verfügbarkeit | – | – |