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IC-Hersteller Texas Instruments

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ReferenzdesignUCC21530 | Demoboard TIDA-010054

Texas Instruments UCC21530 | Demoboard TIDA-010054

Bi-directional, dual active bridge reference design for level 3 electric vehicle charging stations

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionE1

Beschreibung

This reference design provides an overview on the implementation of a single-phase dual active bridge (DAB) DC/DC converter. DAB topology offers advantages like soft-switching commutations, a decreased number of devices and high efficiency. The design is beneficial where power density, cost, weight, galvanic isolation, high voltage conversion ratio and reliability are critical factors, making it ideal for EV charging stations and energy storage applications. Modularity and symmetrical structure in DAB allow for stacking converters to achieve high power throughput and facilitate a bidirectional mode of operation to support battery charging and discharging applications.

Eigenschaften

  • Dual-channel UCC21530 with reinforced isolation used for driving SiC MOSFETs in the half-bridge configuration
  • TMS320F280049 controller for implementation of digital control
  • Isolated voltage and current sensing
  • Primary voltage of 700-800-V DC, secondary voltage of 380-500-V DC, maximum power output of 10 kW
  • Full load efficiency of 97.6% and a peak efficiency of 98.2% at 6 KW
  • High-power density of 1.92 KW/L

Typische Anwendungen

  • Solar string and central inverters
  • AC inverter and servo drive
  • AC-to-DC and DC-to-DC power delivery
  • AC-to-DC and DC-to-DC charging piles / Energy storage systems

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
Bauform
IR(A)
ISAT,30%(A)
fres(MHz)
Kernmaterial
Typ
Montageart
L(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
B(mm)
H(mm)
Ti
Tl(mm)
Pins
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443763540150
SPECWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität, 15 µH, 3540
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCFT THT-Hochstrominduktivität
Induktivität15 µH
Bauform3540 
Nennstrom45.3 A
Sättigungsstrom @ 30%51.6 A
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
KernmaterialMnZn 
–
MontageartTHT 
Länge41 mm
–
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Breite36 mm
Höhe35 mm
–
–
Pins2 
–Verfügbarkeit prüfen
61300211121
SPECWR-PHD Stiftleisten - Einreihig, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWR-PHD Stiftleisten - Einreihig
–
–
Nennstrom3 A
–
–
–
TypGerade 
MontageartTHT 
Länge5.08 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
–
–
–
–
Pins2 
–Verfügbarkeit prüfen
74650073R
SPECWP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread, –, –
Simu­lation–
Verfügbarkeit
–
Downloads7 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWP-THRBU REDCUBE THR with internal through-hole thread
–
–
Nennstrom50 A
–
–
–
–
MontageartTHR 
–
–
Betriebstemperatur -55 °C up to +150 °C
Breite7 mm
Höhe3 mm
InnengewindeM3 
Gewindelänge2.5 mm
Pins4 
–Verfügbarkeit prüfen