| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 6.5-17 V |
| Schaltfrequenz | 1250-1550 kHz |
| Ausgang 1 | 3.3 V / 3 A |
| IC-Revision | SLVSE54A |
The TPS563249 is a simple, easy-to-use, 3 A synchronous step-down converter in SOT-23 package.The device is optimized to operate with minimum external component counts and also optimized to achieve low standby current.This switching regulator employs D-CAP3 mode control providing a fast transient response and supporting both low-equivalent series resistance (ESR) output capacitors such as specialty polymer and ultra-low ESR ceramic capacitors with no external compensation components.TPS563249 operates in Forced Continuous Conduction Mode (FCCM), which maintains fixed 1.4 MHz switching frequency during light load operation and eliminates system nterference. The TPS563249 is available in a 6-pin 1.6-mm × 2.9-mm SOT (DDC) package, and specified from a –40°C to 125°C junction temperature.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | ISAT,10%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.56 µH, 13.65 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.56 µH | Performance Nennstrom13.65 A | Sättigungsstrom @ 30%14.7 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 16.9 A | – | – | ||||
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 0.68 µH, 13.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität0.68 µH | Performance Nennstrom13.15 A | Sättigungsstrom @ 30%12.7 A | Gleichstromwiderstand7.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz75 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT | Sättigungsstrom 15.8 A | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1 µH, 16.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1 µH | Performance Nennstrom16.8 A | Sättigungsstrom @ 30%19 A | – | Eigenresonanzfrequenz85 MHz | – | MontageartSMT | Sättigungsstrom 18 A | Gleichstromwiderstand4.6 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom13.8 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | – | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | – | MontageartSMT | Sättigungsstrom 14.5 A | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | MaterialSuperflux |