| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 4.2-17 V |
| Ausgang 1 | 2 A |
| IC-Revision | APRIL 2024 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.2 µH, 9.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.2 µH | Performance Nennstrom9.4 A | Sättigungsstrom @ 30%11.6 A | Gleichstromwiderstand13.4 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT |