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IC-Hersteller Texas Instruments

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ReferenzdesignTPA3251 | Demoboard SLAA701A

Texas Instruments TPA3251 | Demoboard SLAA701A

LC Filter Design

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionA

Beschreibung

In higher-power class-D amplifiers, generally above 10 W of output power, a filter on the output of theamplifier is required. The filter is passive in nature and uses both an inductor and a capacitor on eachoutput terminal. Therefore, it is referred to as an LC filter. Proper component selection of the LC filter iscritical to meet the desired audio performance, efficiency, EMC/EMI requirements, and cost for the endapplication. This application report serves as a guide to aid in the section of LC filter components forclass-D amplifiers to meet target-design goals of the end system.

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
RDC max.(mΩ)
Drahttype
MusterVerfügbarkeit & Muster
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7443556680
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.8 µH, 22 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität6.8 µH
Performance Nennstrom22 A
Sättigungsstrom 113 A
Sättigungsstrom @ 30%27 A
Gleichstromwiderstand4.1 mΩ
Eigenresonanzfrequenz24 MHz
MaterialWE-PERM 2 
Verpackungseinheit150 
Gleichstromwiderstand4.428 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443630700
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 7 µH, 19.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität7 µH
Performance Nennstrom19.5 A
Sättigungsstrom 127 A
Sättigungsstrom @ 30%30 A
Gleichstromwiderstand5.61 mΩ
Eigenresonanzfrequenz18 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit100 
Gleichstromwiderstand6.17 mΩ
DrahttypeFlach 
–Verfügbarkeit prüfen
7443551730
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 16.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität7.3 µH
Performance Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom 15.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand5.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz28 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Gleichstromwiderstand6.49 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443557760
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 22.8 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität7.6 µH
Performance Nennstrom22.8 A
Sättigungsstrom 119 A
Sättigungsstrom @ 30%22 A
Gleichstromwiderstand3.75 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
Gleichstromwiderstand4 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
74435561100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.5 A
Sättigungsstrom 110 A
Sättigungsstrom @ 30%21.5 A
Gleichstromwiderstand6.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz14 MHz
MaterialWE-PERM 2 
Verpackungseinheit150 
Gleichstromwiderstand7.452 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
74435571100
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.4 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.4 A
Sättigungsstrom 18.8 A
Sättigungsstrom @ 30%18.5 A
Gleichstromwiderstand6.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit150 
Gleichstromwiderstand7.45 mΩ
–
–Verfügbarkeit prüfen
7443631000
SPECWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.15 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität10 µH
Performance Nennstrom16.15 A
Sättigungsstrom 122 A
Sättigungsstrom @ 30%23 A
Gleichstromwiderstand7.96 mΩ
Eigenresonanzfrequenz13 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit100 
Gleichstromwiderstand8.76 mΩ
DrahttypeFlach 
–Verfügbarkeit prüfen