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Details
| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | A |
Beschreibung
In higher-power class-D amplifiers, generally above 10 W of output power, a filter on the output of theamplifier is required. The filter is passive in nature and uses both an inductor and a capacitor on eachoutput terminal. Therefore, it is referred to as an LC filter. Proper component selection of the LC filter iscritical to meet the desired audio performance, efficiency, EMC/EMI requirements, and cost for the endapplication. This application report serves as a guide to aid in the section of LC filter components forclass-D amplifiers to meet target-design goals of the end system.
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | Drahttype | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 6.8 µH, 22 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität6.8 µH | Performance Nennstrom22 A | Sättigungsstrom 113 A | Sättigungsstrom @ 30%27 A | Gleichstromwiderstand4.1 mΩ | Eigenresonanzfrequenz24 MHz | MaterialWE-PERM 2 | Gleichstromwiderstand4.428 mΩ | – | ||||
 | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 7 µH, 19.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7 µH | Performance Nennstrom19.5 A | Sättigungsstrom 127 A | Sättigungsstrom @ 30%30 A | Gleichstromwiderstand5.61 mΩ | Eigenresonanzfrequenz18 MHz | MaterialMnZn | Gleichstromwiderstand6.17 mΩ | DrahttypeFlach | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.3 µH, 16.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.3 µH | Performance Nennstrom16.5 A | Sättigungsstrom 15.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand5.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz28 MHz | MaterialWE-PERM | Gleichstromwiderstand6.49 mΩ | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 7.6 µH, 22.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität7.6 µH | Performance Nennstrom22.8 A | Sättigungsstrom 119 A | Sättigungsstrom @ 30%22 A | Gleichstromwiderstand3.75 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20 MHz | MaterialMnZn | Gleichstromwiderstand4 mΩ | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom16.5 A | Sättigungsstrom 110 A | Sättigungsstrom @ 30%21.5 A | Gleichstromwiderstand6.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz14 MHz | MaterialWE-PERM 2 | Gleichstromwiderstand7.452 mΩ | – | ||||
| WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom16.4 A | Sättigungsstrom 18.8 A | Sättigungsstrom @ 30%18.5 A | Gleichstromwiderstand6.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16 MHz | MaterialMnZn | Gleichstromwiderstand7.45 mΩ | – | ||||
| WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 16.15 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom16.15 A | Sättigungsstrom 122 A | Sättigungsstrom @ 30%23 A | Gleichstromwiderstand7.96 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | MaterialMnZn | Gleichstromwiderstand8.76 mΩ | DrahttypeFlach |