| Topologie | Abwärtswandler |
| Eingangsspannung | 6-80 V |
| IC-Revision | NOVEMBER 2023 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,30%(A) | RDC typ.(mΩ) | fres(MHz) | VOP(V) | Montageart | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom4 A | Sättigungsstrom @ 30%5.75 A | Gleichstromwiderstand63 mΩ | Eigenresonanzfrequenz22 MHz | Betriebsspannung80 V | MontageartSMT |