IC-Hersteller Texas Instruments

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Texas Instruments LMG5200 | Demoboard PMP4497

LMG5200 48V to 1V/40A Single Stage Converter Reference Design

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung36-60 V
Schaltfrequenz400-1000 kHz
Ausgang 11.2 V / 40 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The PMP4497 is a GaN-based reference design solution for the Vcore such as FPGA, ASIC applications. With high integration and low switching loss, the GaN module LMG5200 enables a high efficiency single stage from 48V to 1.0V solution to replace the traditional 2-stage solution. This design shows the GaN performance and the system advantages, compared with the 2-stages solution. A low cost ER18 planar PCB transformer is embedded on the board. The design was achieved in a compact form factor (45mm26mm11mm). The size could be further reduced by optimizing frequency and components.http://www.ti.com/tool/PMP4497#Technical%20Documents

Eigenschaften

Remark: BOM &Schematic PDF are added with User Guide.

  • Input Voltage From 36 to 60 V
  • Single Stage Half-Bridge and Current Doubler
  • Peak Efficiency up to 93.7% at 48 V, 1.0 V, and600 kHz
  • LMG5200 GaN FET Module
  • DCAP+ Control With the TPS53632
  • 400-kHz to 1-MHz Operation Frequency
  • I²C Configurable From 0.8 to 1.2 V
  • Optional Resistor-Configurable Load-Line
  • Output Over Voltage Protection (OVP), OvercurrentProtection (OCP), and Output Under VoltageProtection (UVP).

Typische Anwendungen

  • Servers and High-Performance Computing, Field Programmable Gate Array, Application Specific Integrated Circuit
  • Industrial Board Computer,

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
MusterVerfügbarkeit & Muster
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SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 2.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom2.5 A
Gleichstromwiderstand78 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
Bauform6033 
VersionRobust 
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