IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LMG5200 | Demoboard PMP22089

Half-bridge point-of-load converter reference design with GaN technology

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung24-32 V
Ausgang 11 V / 40 A
IC-RevisionB

Beschreibung

The board is a redesign of the LMG5200POLEVM-10 EVM. It modifies the inboard transformer turns ratio from 5:1 to 3:1 to reduce input the range. The original EVM was designed to evaluate the LMG5200 GaN half-bridge power stage and the TPS53632G half-bridge point-of-load (PoL) controller. This board implements the converter as a single-stage hard-switched half-bridge with a current-doubler rectifier. The board supports input voltages from 24 V to 32 V and output voltages between 0.5 V to 1.0 V with continuous output currents up to 40 A. This topology efficiently supports the high step-down ratio while providing significant output current and controllability.

Eigenschaften

  • Low-voltage, high-current capability supporting FPGA PoLs
  • High power density using GaN FETs
  • Integrated planar transformer

Typische Anwendungen

  • Flight control system
  • Aircraft electrical power

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
λDom typ.(nm)
Emittierte Farbe
λPeak typ.(nm)
IV typ.(mcd)
VF typ.(V)
Chiptechnologie
50% typ.(°)
L(nH)
LR(nH)
IR(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
Muster
WL-SMCW SMT Mono-color Chip LED Waterclear, 525 nm, Grün
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
dominante Wellenlänge [typ.]525 nm
Emittierte FarbeGrün 
Spitzen-Wellenlänge [typ.]515 nm
Lichtstärke [typ.]430 mcd
Durchlassspannung [typ.]3.2 V
ChiptechnologieInGaN 
Abstrahlwinkel Phi 0° [typ.]140 °
WE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität250 nH
Nenninduktivität246 nH
Nennstrom25 A
Sättigungsstrom 141.6 A
Sättigungsstrom @ 30%46.5 A
Gleichstromwiderstand0.37 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
MaterialMnZn