IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LMG3410R050 | Demoboard LMG3410EVM-018

Using the LMG3410EVM-018 Half-Bridge and LMG34XXBB-EVM Breakout Board EVM

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung480 V
Schaltfrequenz50-200 kHz
Ausgang 112 V / 0.7 A

Beschreibung

LMG3410EVM-018 configures two LMG3410R050 GaN FETs in a half bridge with all the necessary auxiliary peripheral circuitry. This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.

Eigenschaften

  • Input voltage operates up to 600 V
  • Simple open loop design to evaluate performance of LMG3410R050
  • Single PWM input on board for PWM signal with 50 ns dead time
  • Convenient probe points for logic and power stage measurements with oscilloscope probes that have short ground spring probes

Typische Anwendungen

  • Totem-Pole PFC converters, Phase-Shifted Full Bridge or LLC Converter, Buck converter such as the LMG34XX-BB-EVM

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IR(A)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Vin
VOut1(V (DC))
IOut1(A)
Isolierungstyp
fswitch(kHz)
∫Udt(Vµs)
NPRI : NSEC
VT(V (AC))
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Nennstrom0.5 A
Sättigungsstrom0.6 A
Gleichstromwiderstand860 mΩ
Eigenresonanzfrequenz39 MHz
Länge2 mm
Breite1.6 mm
Höhe1 mm
MontageartSMT 
WE-PPTI Push-Pull Transformers, 475 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität475 µH
Input Voltage 5 V (DC)
Ausgangsspannung 15 V (DC)
Ausgangsstrom 10.6 A
IsolierungstypFunktional 
Switching Frequency 300 - 620
Spannung-µSekunde11 Vµs
Übersetzungsverhältnis1:1.3 
Prüfspannung2500 V (AC)
Länge6.73 mm
Breite10.2 mm
Höhe4.19 mm
MontageartSMT