| Topologie | Gegentaktwandler (Halbbrücken) |
| Eingangsspannung | 480 V |
| Schaltfrequenz | 50-200 kHz |
| Ausgang 1 | 12 V / 0.7 A |
LMG3410EVM-018 configures two LMG3410R050 GaN FETs in a half bridge with all the necessary auxiliary peripheral circuitry. This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IR(A) | ISAT(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Vin | VOut1(V (DC)) | IOut1(A) | Isolierungstyp | fswitch(kHz) | ∫Udt(Vµs) | NPRI : NSEC | VT(V (AC)) | L(mm) | B(mm) | H(mm) | Montageart | Muster | |
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![]() | WE-LQS SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 0.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-LQS SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | Nennstrom0.5 A | Sättigungsstrom0.6 A | Gleichstromwiderstand860 mΩ | Eigenresonanzfrequenz39 MHz | – | – | – | – | – | – | – | – | Länge2 mm | Breite1.6 mm | Höhe1 mm | MontageartSMT | ||||
![]() | WE-PPTI Push-Pull Transformers, 475 µH, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PPTI Push-Pull Transformers | Induktivität475 µH | – | – | – | – | Input Voltage 5 V (DC) | Ausgangsspannung 15 V (DC) | Ausgangsstrom 10.6 A | IsolierungstypFunktional | Switching Frequency 300 - 620 | Spannung-µSekunde11 Vµs | Übersetzungsverhältnis1:1.3 | Prüfspannung2500 V (AC) | Länge6.73 mm | Breite10.2 mm | Höhe4.19 mm | MontageartSMT |