IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments LMG2610 | Demoboard TIDA-050074

140-W GaN-based USB PD3.1 USB-C® adapter reference design

Details

TopologieLeistungsfaktor-Korrektur
Eingangsspannung90-265 V
Ausgang 128 V / 5 A
Ausgang 215 V / 5 A
Ausgang 35 V / 3 A
Ausgang 49 V / 3 A
Ausgang 520 V / 5 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating halfbridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

Eigenschaften

  • Wide output power range from 5V to 28V for USB PD3.1 application
  • PFC is designed by TI 120mΩ single GaN with driver integrated and UCC28056 transition mode (TM) PFC controller
  • AHB is designed by TI half bridge GaN as 170mΩ/248mΩ GaN device with driver, level shift and bootstrap diode integrated
  • 94% efficiency at 115VAC input and >95.5% efficiency at 230VAC input

  • High power density design: 27.33W/in³ with the PCB size: 50mm × 73mm × 23mm

Typische Anwendungen

  • Notebook PC power adapter design, Other AC/DC adapters and PSU
  • Mobile wall charger design, Merchant battery charger

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Sicherheitsklasse
dV/dt(V/µs)
DF @ 1 kHz(%)
RISO
Raster(mm)
Verpackung
IR(A)
L(mH)
RDC max.(mΩ)
VR(V (AC))
VT(V (AC))
Material
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Montageart
Muster
WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, Across the mains, 68 nF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität68 nF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit400 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand30 GΩ
Raster7.5 mm
VerpackungLose 
Nennspannung275 V (AC)
Länge10 mm
Breite6 mm
Höhe12 mm
MontageartBoxed THT 
WCAP-FTX2 Folienkondensatoren, Across the mains, 22 nF
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität22 nF
SicherheitsklasseX2 
Spannungsanstiegsgeschwindigkeit400 V/µs
Verlustfaktor0.1 %
Isolationswiderstand30 GΩ
Raster10 mm
VerpackungLose 
Nennspannung275 V (AC)
Länge13 mm
Breite4.5 mm
Höhe9.5 mm
MontageartBoxed THT 
WE-CMB Stromkompensierte Netzdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom2 A
Induktivität1 mH
Gleichstromwiderstand45 mΩ
Nennspannung250 V (AC)
Prüfspannung1500 V (AC)
MaterialMnZn 
Länge15 mm
Breite7.8 mm
Höhe18 mm
MontageartTHT 
WE-FI Funkentstördrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Nennstrom2.8 A
Induktivität0.068 mH
Gleichstromwiderstand55 mΩ
Länge14 mm
Breite8.7 mm
MontageartTHT