| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 001 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Drahttype | Muster | |
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![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 10 µH, 34.95 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität10 µH | Performance Nennstrom34.95 A | Sättigungsstrom 132.6 A | Sättigungsstrom @ 30%37 A | Gleichstromwiderstand2.64 mΩ | Eigenresonanzfrequenz13 MHz | DrahttypeFlach |