| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | 1 |
100W System-Level Power Reference Design for Automotive Infotainment SystemPMP10749 is a 100-W system-level SMPS design for a higher-power automotive infotainment system. The design has protections, such as load dump through TVS (ISO pulse testing), as well as reverse voltage (innovative smart diode with very low Iq) protection. Furthermore, all the controllers (boost and dual bucks) are in SYNC for EMI-optimized design.
2.2-MHz switching for SYNC buck controller – avoid AM band + smaller sizeWide Vin support for automotive applicationCycle-by-cycle current limit and optional hiccup-mode overload protectionLow-cost and high-efficiency solution for 100-W applicationSmart diode for highly efficient reverse battery protection
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | RDC max.(mΩ) | Drahttype | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.9 µH, 42.1 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.9 µH | Performance Nennstrom42.1 A | Sättigungsstrom 123 A | Sättigungsstrom @ 30%52 A | Gleichstromwiderstand1.2 mΩ | Eigenresonanzfrequenz51 MHz | MaterialWE-PERM 2 | Gleichstromwiderstand1.296 mΩ | – | ||||
![]() | WE-HCF SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 39.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCF SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom39.5 A | Sättigungsstrom 147 A | Sättigungsstrom @ 30%52 A | Gleichstromwiderstand1.5 mΩ | Eigenresonanzfrequenz32 MHz | MaterialMnZn | Gleichstromwiderstand1.65 mΩ | DrahttypeFlach |