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IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (104)

ReferenzdesignLM61430-Q1

Texas Instruments LM61430-Q1

Automotive 3-V to 36-V, 3-A, low-noise synchronous step-down converter

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung5-36 V
Schaltfrequenz200-2200 kHz
Ausgang 15 V / 3 A
IC-RevisionA

Beschreibung

The LM61430-Q1 is a high-performance, DC-DC synchronous step-down converter. With integrated high-side and low-side MOSFETs, up to 3 A of output current is delivered over a wide input range from 3.0 V to 36 V tolerant of 42 V, easing input surge protection design. The LM61430-Q1 implements soft recovery from dropout eliminating overshoot on the output.

Eigenschaften

  • AEC-Q100 qualified for automotive applications
  • Temperature grade 1: –40°C to +150°C, TJ
  • Functional Safety-Capable
  • Documentation available to aid functional safety system design
  • Optimized for ultra low EMI requirements
  • HotRod™ package minimizes switch node ringing
  • Parallel input path minimizes parasitic inductance
  • Adjustable SW node rise time
  • Designed for automotive applications
  • Supports 42-V automotive load dump
  • ±1% total output regulation accuracy
  • VOUT adjustable from 1 V to 95% of VIN
  • High efficiency power conversion at all loads
  • 7-µA nonswitching current at 13.5 VIN, 3.3 VOUT
  • External bias option for improved efficiency
  • Suitable for scalable power supplies
  • Pin compatible with:
  • LM61435-Q1 (36 V, 3.5 A, adjustable fsw)
  • LM61440-Q1 (36 V, 4 A, adjustable fSW)
  • LM61460-Q1 (36 V, 6 A, adjustable fSW)

Typische Anwendungen

  • Automotive ADAS and body electronics, Automotive infotainment and cluster: head unit, media hub, USB charge, display

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT,30%(A)
RDC typ.(mΩ)
fres(MHz)
VOP(V)
Montageart
ISAT,10%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74438356010
SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1 µH, 10.1 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel
Induktivität1 µH
Performance Nennstrom10.1 A
Sättigungsstrom @ 30%11.5 A
Gleichstromwiderstand12 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 15.3 A
–
–
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
74438356015
SPECWE-MAPI SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 8.6 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MAPI SMT-Speicherdrossel
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom8.6 A
Sättigungsstrom @ 30%10.2 A
Gleichstromwiderstand16 mΩ
Eigenresonanzfrequenz48 MHz
Betriebsspannung80 V
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 14.8 A
–
–
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744316220
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 9.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom9.2 A
Sättigungsstrom @ 30%7.5 A
–
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
–
MontageartSMT 
Sättigungsstrom 13.5 A
Gleichstromwiderstand11.3 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen