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Texas Instruments LM5121 | Demoboard SNVA726
High Density 72W Battery Powered Synchronous Boost Reference Design
Details
| Topologie | Aufwärtswandler |
| Eingangsspannung | 5-8.6 V |
| Schaltfrequenz | 300 kHz |
| Ausgang 1 | 12 V / 6 A |
| IC-Revision | 1 |
Beschreibung
High Density 72W Battery Powered Synchronous Boost Reference DesignPMP11422 is a synchronous boost power supply using the LM5121 controllers. The design accepts an input voltage of 5Vin to 8.6Vin, and boosts a 12Vout rail capable of sourcing 6A continuous current. The LM5121 integrates an input disconnection switch feature which allows boost short circuit protection, the device turns off the switch when a short circuit event occurs.
Eigenschaften
High density designIntegrated boost short circuit protection72W capability+/- 5% load transientOvervoltage, and overcurrent protection
Weiterführende Informationen
Artikeldaten
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Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(nH) | IRP,40K(A) | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | fres(MHz) | Material | VPE | LR(nH) | IR(A) | MusterVerfügbarkeit & Muster | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 105 nH, 76.1 A Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität105 nH | Performance Nennstrom76.1 A | Sättigungsstrom 145 A | Sättigungsstrom @ 30%51 A | Gleichstromwiderstand0.235 mΩ | Eigenresonanzfrequenz70 MHz | MaterialMnZn | Verpackungseinheit1000 | Nenninduktivität104 nH | Nennstrom30 A | –Verfügbarkeit prüfen | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2800 nH, 22.5 A Anstehende PCNAufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter. | Verfügbarkeit – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2800 nH | Performance Nennstrom22.5 A | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%17.5 A | Gleichstromwiderstand3.3 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | MaterialWE-PERM | Verpackungseinheit400 | Nenninduktivität1850 nH | – | –Verfügbarkeit prüfen | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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