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ReferenzdesignLM5121 | Demoboard SNVA726

Texas Instruments LM5121 | Demoboard SNVA726

High Density 72W Battery Powered Synchronous Boost Reference Design

Details

TopologieAufwärtswandler
Eingangsspannung5-8.6 V
Schaltfrequenz300 kHz
Ausgang 112 V / 6 A
IC-Revision1

Beschreibung

High Density 72W Battery Powered Synchronous Boost Reference DesignPMP11422 is a synchronous boost power supply using the LM5121 controllers. The design accepts an input voltage of 5Vin to 8.6Vin, and boosts a 12Vout rail capable of sourcing 6A continuous current. The LM5121 integrates an input disconnection switch feature which allows boost short circuit protection, the device turns off the switch when a short circuit event occurs.

Eigenschaften

High density designIntegrated boost short circuit protection72W capability+/- 5% load transientOvervoltage, and overcurrent protection

Weiterführende Informationen

Von Texas Instruments freigegebene Bauteile

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(nH)
IRP,40K(A)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Material
VPE
LR(nH)
IR(A)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744302010
SPECWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität, 105 nH, 76.1 A

Anstehende PCN

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Verfügbarkeit
–
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Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCM SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität105 nH
Performance Nennstrom76.1 A
Sättigungsstrom 145 A
Sättigungsstrom @ 30%51 A
Gleichstromwiderstand0.235 mΩ
Eigenresonanzfrequenz70 MHz
MaterialMnZn 
Verpackungseinheit1000 
Nenninduktivität104 nH
Nennstrom30 A
–Verfügbarkeit prüfen
7443551280
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2800 nH, 22.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2800 nH
Performance Nennstrom22.5 A
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%17.5 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
Nenninduktivität1850 nH
–
–Verfügbarkeit prüfen