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ReferenzdesignLM22670 | Demoboard LM22670EVAL

Texas Instruments LM22670 | Demoboard LM22670EVAL

LM22670 3A SIMPLE SWITCHER regulator w/ Freq Adj or Synch and Precision Enable EVM

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung4.5-42 V
Ausgang 13.3 V

Beschreibung

The LM22670 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM22670 switching regulator. The LM22670 evaluation board is configured to provide an output voltage of 3.3V up to 3A load current with an input voltage range of 4.5V to 42V. Due to the low RDS(ON) of the integrated N-channel MOSFET and maximum duty -cycle limitations, the minimum input voltage of 4.5V will only provide a 3.3V output voltage for load currents up to 500 mA. For load currents higher than 500 mA, an input voltage of 5.5V or higher is required. The typical operating frequency is 500 kHz. The evaluation board is designed to operate at ambient temperatures up to 50°C.At low input voltages between 4.5V and 6V, a minimum load of approximately 5 mA may be required to reach a regulated 3.3V output voltage. To aid in the design and evaluation of DC/DC buck converter solutions based on the LM22670 switching regulator, the evaluation board can be re-configured for different output voltages.

Eigenschaften

  • Wide Input Voltage Range: 4.5 V to 42 V
  • Internally Compensated Voltage Mode Control
  • Stable With Low ESR Ceramic Capacitors
  • 120-mΩ N-channel MOSFET PFM Package
  • 100-mΩ N-channel MOSFET SO PowerPAD™-8 Package
  • Output Voltage Options:
  • ADJ (Outputs as Low as 1.285 V)
  • 5.0 (Output Fixed to 5 V)
  • ±1.5% Feedback Reference Accuracy
  • 500-kHz Default Switching Frequency
  • Adjustable Switching Frequency and Synchronization and good transient response
  • –40°C to 125°C Operating Junction Temperature
  • Precision Enable Pin
  • Integrated Boot-Strap Diode
  • Integrated Soft-Start
  • Fully WEBENCH® Enabled
  • LM22670-Q1 is an Automotive-Grade Product LM22670 device also has built-in thermal shutdown, that is AEC-Q100 Grade 1 Qualified (–40°C to and current limiting to protect against accidental
  • +125°C Operating Junction Temperature)

Typische Anwendungen

  • Telecom and Datacom Systems
  • Industrial control

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744771008
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 8.5 A

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität8.2 µH
Performance Nennstrom8.5 A
Sättigungsstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
–Verfügbarkeit prüfen