IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments DRV8350H | Demoboard DRV8350H-EVM

DRV8350H three-phase smart gate driver evaluation module

Details

TopologieGegentaktwandler (Halbbrücken)
Eingangsspannung12-95 V
Schaltfrequenz200 kHz
Ausgang 15 V / 15 A

Beschreibung

The DRV8350H-EVM is a 15A, 3-phase brushless DC drive stage based on the DRV8350H gate driver and CSD19532Q5B NexFET™ power blocks. The module has individual DC bus and phase voltage sense as well as an external, individual low-side current shunt amplifier, making this evaluation module ideal for sensorless BLDC algorithms. The module supplies MCU 3.3V and 5V power blocks from a 12 V, 0.35A step down buck regulator. The driver can be configured in split rail and single rail power solutions. The drive stage has IDRIVE configuration, along with a fault pin and protection for short circuit, thermal, shoot-through, and under voltage conditions through configurable hardware. The EVM has an entire USB to MCU environment to program and evaluate the EVM using available trapezoidal drive firmware and GUI.

Eigenschaften

  • 9- to 95-V operation
  • 15 A continuous / 20 A peak H-bridge output current
  • Complete evaluation module with hall sensor connection along with programmable MSP430F5529
  • One individual, external low-side current shunt amplifiers
  • Trapezoidal sensored and sensorless BLDC firmware available
  • Hardware interface to configure IDRIVE, MODE, VDS monitoring, and GAIN

Typische Anwendungen

  • Fans, Blowers, and Pumps / E-Bikes, E-Scooters, and E-Mobility / Power and Garden Tools, Lawn Mowers
  • 3-Phase Brushless-DC (BLDC) Motor Modules
  • Drones, Robotics, and RC Toys

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
L(µH)
IR(mA)
ISAT(A)
RDC(mΩ)
fres(MHz)
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR 2(mA)
RDC max.(Ω)
Typ
Muster
WCAP-CSGP MLCCs 50 V(DC), 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung50 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor2.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), 1 nF, ±10%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WCAP-CSGP MLCCs 10 V(DC), 100 nF, ±20%
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität100 nF
Kapazität±20% 
Nennspannung10 V (DC)
Bauform0402 
Betriebstemperatur -55 °C up to +85 °C
Verlustfaktor5 %
Isolationswiderstand5 GΩ
KeramiktypX5R Klasse II 
Länge1 mm
Breite0.5 mm
Höhe0.5 mm
Pad Dimension0.25 mm
Verpackung7" Tape & Reel 
WE-CBF SMT-Ferrit, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-CBF SMT-Ferrit
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.3 mm
Nennstrom500 mA
Impedanz @ 100 MHz100 Ω
Maximale Impedanz125 Ω
Maximale Impedanz450 MHz 
Nennstrom 21650 mA
Gleichstromwiderstand0.15 Ω
TypBreitband 
WE-LQS SMT-Speicherdrossel, –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Bauform8040 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge8 mm
Breite8 mm
Höhe4.2 mm
Induktivität330 µH
Nennstrom660 mA
Sättigungsstrom0.9 A
Gleichstromwiderstand865 mΩ
Eigenresonanzfrequenz3.55 MHz