IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments DRV8316RRGFR | Demoboard DRV8316REVM

DRV8316R three-phase PWM motor driver evaluation module

Details

TopologieMotor Drive

Beschreibung

The DRV8316REVM provides three half-H-bridge integrated MOSFET drivers for driving a three-phase brushless DC (BLDC) motor with 8-A Peak current drive, for 12-V/24-V DC rails or battery powered applications. The device integrates three current-sense amplifiers (CSA) with integrated current sense for sensing the three phase currents of BLDC motors to achieve optimum FOC and current-control system implementation.The launchpad connection allows for a personal firmware development platform for the DRV8316. This includes the C2000 launchpad, LAUNCHXL-F280049C, which is used to interface with the DRV8316REVM_InstaSPIN_Universal_GUI.

Eigenschaften

  • 4.5-V to 35-V operation with 8-A Peak Current Drive
  • Integrated CSAs for three-phase low-side current measurement
  • Integrated buck regulator which can support 200-mA with programmable regulated supply
  • Compatibile with DRV8316T, hardware device variant
  • C2000 (LAUNCHXL-F280049C) InstaSPIN GUI Compatibility

Typische Anwendungen

  • Printers, Camera gimbals
  • Small home appliances
  • CPAP machines, Brushless-DC (BLDC) Motor Modules, HVAC motors, Office automation machines, Factory automation and robotics

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
IRP,40K(A)
Montageart
C
Tol. C
VR(V (DC))
Bauform
Betriebstemperatur
DF(%)
RISO
Keramiktyp
L(mm)
B(mm)
H(mm)
Fl(mm)
Verpackung
Muster
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 22 µH, 1.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität22 µH
Sättigungsstrom 11.1 A
Sättigungsstrom @ 30%2 A
Gleichstromwiderstand1040 mΩ
Eigenresonanzfrequenz12 MHz
Performance Nennstrom0.85 A
MontageartSMT 
Bauform3015 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge3 mm
Breite3 mm
Höhe1.5 mm
WE-MAIA SMT Speicherdrossel, 47 µH, 0.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität47 µH
Sättigungsstrom 10.75 A
Sättigungsstrom @ 30%1.5 A
Gleichstromwiderstand2300 mΩ
Eigenresonanzfrequenz8 MHz
Performance Nennstrom0.5 A
MontageartSMT 
Bauform3015 
Betriebstemperatur -40 °C up to +125 °C
Länge3 mm
Breite3 mm
Höhe1.5 mm
WCAP-CSGP MLCCs 16 V(DC), –, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Kapazität1 nF
Kapazität±10% 
Nennspannung16 V (DC)
Bauform0603 
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Verlustfaktor3.5 %
Isolationswiderstand10 GΩ
KeramiktypX7R Klasse II 
Länge1.6 mm
Breite0.8 mm
Höhe0.8 mm
Pad Dimension0.4 mm
Verpackung7" Tape & Reel