IC-Hersteller Texas Instruments

IC-Hersteller (103)

Texas Instruments DLPC231 | Demoboard DLP4621Q1EVM

DLP4620SQ1EVM and DLP4621Q1EVM Evaluation Module

Details

TopologieSonstige Topologie
Eingangsspannung1.1-3.3 V

Beschreibung

The DLP4621Q1EVM evaluation module (EVM) is a complete electronic subsystem designed to drive the DLP4621-Q1 automotive chipset. The DLP4621-Q1 chipset consists of a 0.46” DMD (960 x 480), the DLPC231-Q1 DMD controller, and TPS99001-Q1 PMIC. When combined with optics and LEDs, this EVM can be used to demonstrate adaptive driving beams, glare-free beam steering, reflective traffic sign dimming, pedestrian dimming, symbol projection, OEM branding, or other automotive display applications.

Eigenschaften

  • Complete DLP4621-Q1 electronic subsystem
  • Runs off a single +12V DC power rail
  • HDMI and OpenLDI video inputs
  • USB interface for communication and configuration
  • Windows GUI for configuration and control

Typische Anwendungen

  • High resolution headlight, Digital cluster, navigation, and infotainment windshield displays, Wide field of view and augmented reality head-up display (HUD)

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
Pins
Montageart
L(mm)
Arbeitsspannung(V (AC))
Betriebstemperatur
Z @ 100 MHz(Ω)
Zmax(Ω)
Testbedingung Zmax
IR(A)
Z @ 1 GHz(Ω)
H(mm)
Typ
Muster
WR-PHD Stiftleisten - Einreihig, 3, THT
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
MontageartTHT 
Länge7.62 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3 A
TypGerade 
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Pins
MontageartTHT 
Länge15.24 mm
Arbeitsspannung250 V (AC)
Betriebstemperatur -40 °C up to +105 °C
Nennstrom3 A
TypGerade 
WE-MPSB EMI Multilayer Power Suppression Bead, –, SMT
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
MontageartSMT 
Länge1.6 mm
Betriebstemperatur -55 °C up to +125 °C
Impedanz @ 100 MHz110 Ω
Maximale Impedanz135 Ω
Maximale Impedanz226 MHz 
Nennstrom4.1 A
Impedanz @ 1 GHz48 Ω
Höhe0.8 mm
TypHochstrom