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IC-Hersteller STMicroelectronics

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ReferenzdesignSTM32WBA25CEU6 | Demoboard NUCLEO-WBA25CE1

STMicroelectronics STM32WBA25CEU6 | Demoboard NUCLEO-WBA25CE1

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision2.0

Beschreibung

NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA52CG, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI are Bluetooth® LE wireless and ultralow-power boards embedding a powerful and ultralow-power radio compliant with the Bluetooth® LE SIG specification, IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee®.The ARDUINO® Uno V3 connectivity support and the ST morpho headers allow the easy expansion of the functionality of the STM32 Nucleo open development platform with a wide choice of specialized shields.

Eigenschaften

Ultralow-power wireless STM32WBA series microcontroller based on the Arm® Cortex®‑M33 core, featuring:512 Kbytes of flash memory and 96 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA25CE11 Mbyte of flash memory and 128 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA52CG and NUCLEO-WBA55CG2 Mbytes of flash memory and 512 Kbytes of SRAM in a VFQFPN68 package for NUCLEO-WBA65RIMCU RF board (MB1863/MB1803/MB2130/MB2293):2.4 GHz RF transceiver supporting Bluetooth® specification v6.0IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee® (for NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)Integrated PCB antennaThree user LEDsThree user and one reset push-buttons8-pin SOP Quad-SPI NOR flash memory footprint (for NUCLEO-WBA25CE1)Board connectors:USB Micro-B (NUCLEO-WBA52CG) or USB Type-C® (NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)ARDUINO® Uno V3 expansion connectorST morpho headers for full access to all STM32 I/OsFlexible power-supply options: ST-LINK USB VBUS or external sourcesOn-board STLINK-V3 debugger/programmer with USB re-enumeration capability: mass storage, Virtual COM port, and debug portComprehensive free software libraries and examples available with the STM32CubeWBA MCU PackageSupport of a wide choice of Integrated Development Environments (IDEs) including IAR Embedded Workbench®, MDK-ARM, and STM32CubeIDE

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Zusätzlich von Würth Elektronik empfohlene Bauteile

Empfohlene Bauteile sind Alternativen von Würth Elektronik, die nicht offiziell vom IC-Hersteller für dieses Referenzdesign freigegeben sind. Bitte prüfen Sie, ob sie für Ihre Anwendung geeignet sind, und wenden Sie sich an uns, wenn Sie Fragen haben.

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
Typ
H(mm)
B(mm)
L(µH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(mΩ)
IR(mA)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74479775222A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 700 mA, 1000 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Nennstrom 1700 mA
Nennstrom 21000 mA
Sättigungsstrom700 mA
Gleichstromwiderstand200 mΩ
TypLow RDC 
Höhe1 mm
Breite1.2 mm
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Induktivität1 MHz/ 5 mA 
–
–
Gleichstromwiderstand250 mΩ
–
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
–Verfügbarkeit prüfen
7447840110G
SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.01 µH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte8 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand270 mΩ
Nennstrom550 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
–Verfügbarkeit prüfen
7447840015G
SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.0015 µH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte8 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand90 mΩ
Nennstrom1100 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
–Verfügbarkeit prüfen