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IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (106)

ReferenzdesignSTM32WBA25CEU6 | Demoboard NUCLEO-WBA25CE1

STMicroelectronics STM32WBA25CEU6 | Demoboard NUCLEO-WBA25CE1

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision2.0

Beschreibung

NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA52CG, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI are Bluetooth® LE wireless and ultralow-power boards embedding a powerful and ultralow-power radio compliant with the Bluetooth® LE SIG specification, IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee®.The ARDUINO® Uno V3 connectivity support and the ST morpho headers allow the easy expansion of the functionality of the STM32 Nucleo open development platform with a wide choice of specialized shields.

Eigenschaften

Ultralow-power wireless STM32WBA series microcontroller based on the Arm® Cortex®‑M33 core, featuring:512 Kbytes of flash memory and 96 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA25CE11 Mbyte of flash memory and 128 Kbytes of SRAM in a UFQFPN48 package for NUCLEO-WBA52CG and NUCLEO-WBA55CG2 Mbytes of flash memory and 512 Kbytes of SRAM in a VFQFPN68 package for NUCLEO-WBA65RIMCU RF board (MB1863/MB1803/MB2130/MB2293):2.4 GHz RF transceiver supporting Bluetooth® specification v6.0IEEE 802.15.4-2015 PHY and MAC, supporting Thread, Matter, and Zigbee® (for NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)Integrated PCB antennaThree user LEDsThree user and one reset push-buttons8-pin SOP Quad-SPI NOR flash memory footprint (for NUCLEO-WBA25CE1)Board connectors:USB Micro-B (NUCLEO-WBA52CG) or USB Type-C® (NUCLEO-WBA25CE1, NUCLEO-WBA55CG, and NUCLEO-WBA65RI)ARDUINO® Uno V3 expansion connectorST morpho headers for full access to all STM32 I/OsFlexible power-supply options: ST-LINK USB VBUS or external sourcesOn-board STLINK-V3 debugger/programmer with USB re-enumeration capability: mass storage, Virtual COM port, and debug portComprehensive free software libraries and examples available with the STM32CubeWBA MCU PackageSupport of a wide choice of Integrated Development Environments (IDEs) including IAR Embedded Workbench®, MDK-ARM, and STM32CubeIDE

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
Typ
H(mm)
B(mm)
L(µH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(mΩ)
IR(mA)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74479775222A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 700 mA, 1000 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Nennstrom 1700 mA
Nennstrom 21000 mA
Sättigungsstrom700 mA
Gleichstromwiderstand200 mΩ
TypLow RDC 
Höhe1 mm
Breite1.2 mm
Induktivität2.2 µH
Induktivität±20% 
Induktivität1 MHz/ 5 mA 
–
–
Gleichstromwiderstand250 mΩ
–
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
–Verfügbarkeit prüfen
7447840110G
SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads11 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.01 µH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte8 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand350 mΩ
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz3200 MHz
–Verfügbarkeit prüfen
7447840015G
SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird sich in Kürze das Datenblatt des ausgewählten Produktes ändern. Anbei finden Sie das neue Datenblatt, sowie das noch gültige Datenblatt. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads11 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.0015 µH
Induktivität±0.1nH 
Induktivität100 MHz 
Güte8 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand100 mΩ
Nennstrom300 mA
Eigenresonanzfrequenz8000 MHz
–Verfügbarkeit prüfen