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ReferenzdesignSTM32WB09KE | Demoboard NUCLEO-WB09KE

STMicroelectronics STM32WB09KE | Demoboard NUCLEO-WB09KE

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-Revision1.0

Beschreibung

NUCLEO-WB09KE is a Bluetooth® Low Energy wireless and ultra-low-power board embedding a powerful and ultra-low-power radio compliant with the Bluetooth® Low Energy SIG specification v5.4.The ARDUINO® Uno V3 connectivity support and the ST morpho headers allow the easy expansion of the functionality of the STM32 Nucleo open development platform with a wide choice of specialized shields.

Eigenschaften

Ultra-low-power wireless STM32WB09KE microcontroller based on the Arm® Cortex®‑M0+ core, featuring 512 Kbytes of flash memory and 64 Kbytes of SRAM in a VFQFPN32 packageMCU RF board (MB2032):2.4 GHz RF transceiver supporting Bluetooth® specification v5.4Built‑in PCB antennaThree user LEDsThree user and one reset push-buttonsBoard connectors:USB Type-C®ARDUINO® Uno V3 expansion connectorST morpho headers for full access to all STM32 I/OsFlexible power-supply options: ST-LINK USB VBUS or external sourcesOn-board STLINK-V3EC debugger/programmer with USB re-enumeration capability: mass storage, Virtual COM port, and debug portComprehensive free software libraries and examples available with the STM32CubeWB0 MCU PackageSupport of a wide choice of Integrated Development Environments (IDEs) including IAR Embedded Workbench®, MDK-ARM, and STM32CubeIDE

Typische Anwendungen

Weiterführende Informationen

Zusätzlich von Würth Elektronik empfohlene Bauteile

Empfohlene Bauteile sind Alternativen von Würth Elektronik, die nicht offiziell vom IC-Hersteller für dieses Referenzdesign freigegeben sind. Bitte prüfen Sie, ob sie für Ihre Anwendung geeignet sind, und wenden Sie sich an uns, wenn Sie Fragen haben.

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
IR 1(mA)
IR 2(mA)
ISAT(mA)
RDC(mΩ)
Typ
H(mm)
B(mm)
L(µH)
Tol. L
Testbedingung L
Qmin.
Testbedingung Q
RDC max.(mΩ)
IR(mA)
fres(MHz)
MusterVerfügbarkeit & Muster
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74479777310A
SPECWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität, 600 mA, 900 mA
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads8 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PMI Power-Multilayer-Induktivität
Nennstrom 1600 mA
Nennstrom 2900 mA
Sättigungsstrom120 mA
Gleichstromwiderstand300 mΩ
TypLow RDC 
Höhe1.25 mm
Breite1.2 mm
Induktivität10 µH
Induktivität±20% 
Induktivität1 MHz/ 5 mA 
–
–
Gleichstromwiderstand375 mΩ
–
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
–Verfügbarkeit prüfen
7447840122G
SPECWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität, –, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status
AktivProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
iProduktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-MK Multilayer-Keramik-SMT-Induktivität
–
–
–
–
–
Höhe0.5 mm
Breite0.5 mm
Induktivität0.022 µH
Induktivität±2% 
Induktivität100 MHz 
Güte8 
Güte100 MHz 
Gleichstromwiderstand480 mΩ
Nennstrom350 mA
Eigenresonanzfrequenz1800 MHz
–Verfügbarkeit prüfen