IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics ST7580 | Demoboard ST7580

ST7580 Shield

Details

TopologieSonstige Topologie
IC-RevisionV1.01

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.62 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität220 µH
Performance Nennstrom0.62 A
Sättigungsstrom0.42 A
Gleichstromwiderstand1650 mΩ
Eigenresonanzfrequenz6 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
750510231
Transformer, 1000 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Produktserie Transformer
Induktivität1000 µH
BauformEP13