| Topologie | Sonstige Topologie |
| IC-Revision | V1.01 |
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | – | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand43 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 220 µH, 0.62 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität220 µH | Performance Nennstrom0.62 A | Sättigungsstrom0.42 A | Gleichstromwiderstand1650 mΩ | Eigenresonanzfrequenz6 MHz | Bauform7332 | VersionGestanzt | ||||
![]() | 750510231 | Transformer, 1000 µH, – | Simulation– | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | Produktserie Transformer | Induktivität1000 µH | – | – | – | – | BauformEP13 | – |