| Topologie | Abwärtswandler |
| Schaltfrequenz | 1200-1900 kHz |
| IC-Revision | 4 |
The ST1S31 device is an internally compensated 1.5 MHz fixed-frequency PWM synchronous stepdown regulator. The ST1S31 operates from 2.8 V to 5.5 V input, while it regulates an output voltage as low as 0.8 V and up to VIN. The ST1S31 integrates a 60 mΩ high-side switch and a 45 mΩ synchronous rectifier allowing very high efficiency with very low output voltages. The peak current mode control with internal compensation delivers a very compact solution with a minimum component count. The ST1S31 device is available in 3 mm x 3 mm, 8 lead VFDFPN and SO8 packages.
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | ISAT,10%(A) | ISAT,30%(A) | RDC(mΩ) | Material | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 17.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom17.5 A | Sättigungsstrom13.5 A | Gleichstromwiderstand6 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 113.5 A | Sättigungsstrom @ 30%17.5 A | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 9.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom9.6 A | – | Gleichstromwiderstand13.97 mΩ | Eigenresonanzfrequenz80 MHz | Bauform7030 | VersionSMT | Sättigungsstrom 14.75 A | Sättigungsstrom @ 30%12 A | Gleichstromwiderstand12.7 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität1.5 µH | Performance Nennstrom13.8 A | – | Gleichstromwiderstand7.26 mΩ | Eigenresonanzfrequenz72 MHz | Bauform7040 | VersionSMT | Sättigungsstrom 14.5 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand6.6 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2 µH | Performance Nennstrom8.7 A | – | Gleichstromwiderstand15.62 mΩ | Eigenresonanzfrequenz58 MHz | Bauform7030 | VersionSMT | Sättigungsstrom 13 A | Sättigungsstrom @ 30%9 A | Gleichstromwiderstand14.2 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 15.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom15.5 A | Sättigungsstrom11 A | Gleichstromwiderstand7 mΩ | Eigenresonanzfrequenz50 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 111 A | Sättigungsstrom @ 30%14.4 A | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 9.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom9.2 A | – | Gleichstromwiderstand12.43 mΩ | Eigenresonanzfrequenz108 MHz | Bauform5040 | VersionSMT | Sättigungsstrom 13.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7.5 A | Gleichstromwiderstand11.3 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 22.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität2.8 µH | Performance Nennstrom22.5 A | – | Gleichstromwiderstand3.74 mΩ | Eigenresonanzfrequenz35 MHz | Bauform1365 | VersionSMT | Sättigungsstrom 18 A | Sättigungsstrom @ 30%17.5 A | Gleichstromwiderstand3.3 mΩ | MaterialWE-PERM | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 10.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom10.9 A | – | Gleichstromwiderstand9.9 mΩ | Eigenresonanzfrequenz65 MHz | Bauform7050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 13.2 A | Sättigungsstrom @ 30%8 A | Gleichstromwiderstand9 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.5 µH, 14.5 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.5 µH | Performance Nennstrom14.5 A | Sättigungsstrom9.5 A | Gleichstromwiderstand8 mΩ | Eigenresonanzfrequenz40 MHz | Bauform1260 | VersionGestanzt | Sättigungsstrom 19.5 A | Sättigungsstrom @ 30%12.4 A | – | – | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.5 µH, 24.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität3.5 µH | Performance Nennstrom24.2 A | – | Gleichstromwiderstand3.348 mΩ | Eigenresonanzfrequenz38 MHz | Bauform1890 | VersionSMT | Sättigungsstrom 117 A | Sättigungsstrom @ 30%37 A | Gleichstromwiderstand3.1 mΩ | MaterialWE-PERM 2 | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.2 µH | Performance Nennstrom15.4 A | – | Gleichstromwiderstand7.87 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | Bauform1050 | VersionSMT | Sättigungsstrom 15 A | Sättigungsstrom @ 30%14 A | Gleichstromwiderstand7.1 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom6 A | – | Gleichstromwiderstand26.95 mΩ | Eigenresonanzfrequenz57 MHz | Bauform5040 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%4.7 A | Gleichstromwiderstand24.5 mΩ | MaterialSuperflux | ||||
![]() | WE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7.8 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität | Induktivität4.7 µH | Performance Nennstrom7.8 A | – | Gleichstromwiderstand21.45 mΩ | Eigenresonanzfrequenz33 MHz | Bauform7040 | VersionSMT | Sättigungsstrom 12.5 A | Sättigungsstrom @ 30%7 A | Gleichstromwiderstand19.5 mΩ | MaterialSuperflux |