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IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignST1S31

STMicroelectronics ST1S31

3 A DC step-down switching regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Schaltfrequenz1200-1900 kHz
IC-Revision4

Beschreibung

The ST1S31 device is an internally compensated 1.5 MHz fixed-frequency PWM synchronous stepdown regulator. The ST1S31 operates from 2.8 V to 5.5 V input, while it regulates an output voltage as low as 0.8 V and up to VIN. The ST1S31 integrates a 60 mΩ high-side switch and a 45 mΩ synchronous rectifier allowing very high efficiency with very low output voltages. The peak current mode control with internal compensation delivers a very compact solution with a minimum component count. The ST1S31 device is available in 3 mm x 3 mm, 8 lead VFDFPN and SO8 packages.

Eigenschaften

  • 3 A DC output current
  • 2.8 V to 5.5 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.8 V
  • 1.5 MHz switching frequency
  • Internal soft-start and enable
  • Integrated 60 m and 45 m power MOSFETs
  • All ceramic capacitor
  • Power Good (POR)
  • Cycle-by-cycle current limiting
  • Current foldback short-circuit protection
  • VFDFPN 3 x 3 - 8L, SO8 packages

Typische Anwendungen

  • μP/ASIC/DSP/FPGA core and I/O supplies, Optical storage, hard disk drive, printers, audio/graphic cards
  • Point of load for: STB, TVs, DVDs

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

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Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
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Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
ISAT,10%(A)
ISAT,30%(A)
RDC(mΩ)
Material
VPE
MusterVerfügbarkeit & Muster
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744771001
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 1.5 µH, 17.5 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom17.5 A
Sättigungsstrom13.5 A
Gleichstromwiderstand6 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 113.5 A
Sättigungsstrom @ 30%17.5 A
–
–
Verpackungseinheit500 
–Verfügbarkeit prüfen
744310150
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 9.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom9.6 A
–
Gleichstromwiderstand13.97 mΩ
Eigenresonanzfrequenz80 MHz
Bauform7030 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 14.75 A
Sättigungsstrom @ 30%12 A
Gleichstromwiderstand12.7 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen
744311150
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 1.5 µH, 13.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität1.5 µH
Performance Nennstrom13.8 A
–
Gleichstromwiderstand7.26 mΩ
Eigenresonanzfrequenz72 MHz
Bauform7040 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 14.5 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand6.6 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744310200
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2 µH, 8.7 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2 µH
Performance Nennstrom8.7 A
–
Gleichstromwiderstand15.62 mΩ
Eigenresonanzfrequenz58 MHz
Bauform7030 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 13 A
Sättigungsstrom @ 30%9 A
Gleichstromwiderstand14.2 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen
744771002
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 15.5 A

Anstehende PCN

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Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom15.5 A
Sättigungsstrom11 A
Gleichstromwiderstand7 mΩ
Eigenresonanzfrequenz50 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 111 A
Sättigungsstrom @ 30%14.4 A
–
–
Verpackungseinheit500 
–Verfügbarkeit prüfen
744316220
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.2 µH, 9.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom9.2 A
–
Gleichstromwiderstand12.43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz108 MHz
Bauform5040 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 13.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7.5 A
Gleichstromwiderstand11.3 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
–Verfügbarkeit prüfen
7443551280
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 2.8 µH, 22.5 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität2.8 µH
Performance Nennstrom22.5 A
–
Gleichstromwiderstand3.74 mΩ
Eigenresonanzfrequenz35 MHz
Bauform1365 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 18 A
Sättigungsstrom @ 30%17.5 A
Gleichstromwiderstand3.3 mΩ
MaterialWE-PERM 
Verpackungseinheit400 
–Verfügbarkeit prüfen
744314330
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.3 µH, 10.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom10.9 A
–
Gleichstromwiderstand9.9 mΩ
Eigenresonanzfrequenz65 MHz
Bauform7050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 13.2 A
Sättigungsstrom @ 30%8 A
Gleichstromwiderstand9 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen
744771003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.5 µH, 14.5 A

Anstehende PCN

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Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.5 µH
Performance Nennstrom14.5 A
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz40 MHz
Bauform1260 
VersionGestanzt 
Sättigungsstrom 19.5 A
Sättigungsstrom @ 30%12.4 A
–
–
Verpackungseinheit500 
–Verfügbarkeit prüfen
7443556350
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 3.5 µH, 24.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität3.5 µH
Performance Nennstrom24.2 A
–
Gleichstromwiderstand3.348 mΩ
Eigenresonanzfrequenz38 MHz
Bauform1890 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 117 A
Sättigungsstrom @ 30%37 A
Gleichstromwiderstand3.1 mΩ
MaterialWE-PERM 2 
Verpackungseinheit150 
–Verfügbarkeit prüfen
744325420
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.2 µH, 15.4 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.2 µH
Performance Nennstrom15.4 A
–
Gleichstromwiderstand7.87 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Bauform1050 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 15 A
Sättigungsstrom @ 30%14 A
Gleichstromwiderstand7.1 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit700 
–Verfügbarkeit prüfen
744316470
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom6 A
–
Gleichstromwiderstand26.95 mΩ
Eigenresonanzfrequenz57 MHz
Bauform5040 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%4.7 A
Gleichstromwiderstand24.5 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1500 
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744311470
SPECWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität, 4.7 µH, 7.8 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-HCI SMT-Hochstrominduktivität
Induktivität4.7 µH
Performance Nennstrom7.8 A
–
Gleichstromwiderstand21.45 mΩ
Eigenresonanzfrequenz33 MHz
Bauform7040 
VersionSMT 
Sättigungsstrom 12.5 A
Sättigungsstrom @ 30%7 A
Gleichstromwiderstand19.5 mΩ
MaterialSuperflux 
Verpackungseinheit1000 
–Verfügbarkeit prüfen