IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics L7981

3 A step-down switching regulator

Details

TopologieAbwärtswandler
Eingangsspannung4.5-28 V
Schaltfrequenz250-1000 kHz
Ausgang 128 V
IC-Revision5

Beschreibung

The L7981 device is a step-down switching regulator with a 3.7 A (minimum) current limited embedded Power MOSFET, so it is able to deliver up to 3 A current to the load depending on the application conditions.

The input voltage can range from 4.5 V to 28 V, while the output voltage can be set starting from 0.6 V to VIN.

Requiring a minimum set of external components, the device includes an internal 250 kHz switching frequency oscillator that can be externally adjusted up to 1 MHz.

The QFN and the HSOP packages with exposed pad allow reducing the RthJAdown to 60°C/W and 40°C/W respectively.

Eigenschaften

  • 3 A DC output current
  • 4.5 V to 28 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.6 V
  • 250 kHz switching frequency, programmable up to 1 MHz
  • Internal soft-start and enable
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Overcurrent and thermal protection
  • VFQFPN 3 x 3 - 8L and HSOP8 package

REMARKS:-TABLE 7.INDUCTORS

Typische Anwendungen

  • XDSL, modems, DC-DC modules
  • Computer
  • Industria
  • Consumer
  • Suitable for LED driving

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 9.5 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Sättigungsstrom9.5 A
Gleichstromwiderstand8 mΩ
Eigenresonanzfrequenz53 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Sättigungsstrom9 A
Gleichstromwiderstand10.5 mΩ
Eigenresonanzfrequenz42 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 4.7 µH, 8 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität4.7 µH
Sättigungsstrom8 A
Gleichstromwiderstand12.4 mΩ
Eigenresonanzfrequenz34 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, 4.7 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Sättigungsstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, 4.1 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand62 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, 3.4 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom3.4 A
Gleichstromwiderstand89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance