| Topologie | Drahtlose Energieübertragung |
| Schaltfrequenz | 250-1000 kHz |
| IC-Revision | 8 |
The A7986A is a step-down switching regulatorwith a 3.7 A (min.) current limited embeddedpower MOSFET, so it is able to deliver up to 3 Acurrent to the load depending on the applicationconditions.The input voltage can range from 4.5 V to 38 V,while the output voltage can be set starting from0.6 V to VIN.Requiring a minimum set of external components,the device includes an internal 250 kHz switchingfrequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.The HSOP8 package with exposed pad allowsthe reduction of Rth(JA) down to 40 °C/W.
AEC-Q100 qualified
Artikel Nr. | Datenblatt | Simulation | Downloads | Status | Produktserie | L(µH) | IRP,40K(A) | ISAT(A) | RDC max.(mΩ) | fres(MHz) | Bauform | Version | Muster | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.6 A | Sättigungsstrom4.8 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | Bauform7332 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.9 A | Sättigungsstrom6.5 A | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.6 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom5.6 A | – | Gleichstromwiderstand23 mΩ | Eigenresonanzfrequenz67 MHz | Bauform7332 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität2.2 µH | Performance Nennstrom6.2 A | – | Gleichstromwiderstand20 mΩ | Eigenresonanzfrequenz60 MHz | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.9 A | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand32 mΩ | Eigenresonanzfrequenz61 MHz | Bauform7332 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.85 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.85 A | Sättigungsstrom4.6 A | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Bauform7345 | VersionGestanzt | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.9 A | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz61 MHz | Bauform7332 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.75 A | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität3.3 µH | Performance Nennstrom4.75 A | – | Gleichstromwiderstand30 mΩ | Eigenresonanzfrequenz55 MHz | Bauform7345 | VersionRobust | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität8.2 µH | – | Sättigungsstrom4.7 A | Gleichstromwiderstand49 mΩ | Eigenresonanzfrequenz30 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | – | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand62 mΩ | Eigenresonanzfrequenz25 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität10 µH | – | Sättigungsstrom5 A | Gleichstromwiderstand27 mΩ | Eigenresonanzfrequenz20.5 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | – | Sättigungsstrom3.4 A | Gleichstromwiderstand89 mΩ | Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz | Bauform1030 | VersionPerformance | ||||
![]() | WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, – | Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre. | ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel | Induktivität15 µH | – | Sättigungsstrom4.1 A | Gleichstromwiderstand43 mΩ | Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz | Bauform1050 | VersionPerformance |