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IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (105)

ReferenzdesignA7986A

STMicroelectronics A7986A

3 A step-down switching regulato r for automotive applications

Details

TopologieDrahtlose Energieübertragung
Schaltfrequenz250-1000 kHz
IC-Revision8

Beschreibung

The A7986A is a step-down switching regulatorwith a 3.7 A (min.) current limited embeddedpower MOSFET, so it is able to deliver up to 3 Acurrent to the load depending on the applicationconditions.The input voltage can range from 4.5 V to 38 V,while the output voltage can be set starting from0.6 V to VIN.Requiring a minimum set of external components,the device includes an internal 250 kHz switchingfrequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.The HSOP8 package with exposed pad allowsthe reduction of Rth(JA) down to 40 °C/W.

Eigenschaften

AEC-Q100 qualified

  • 3 A DC output current
  • 4.5 V to 38 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.6 V
  • 250 kHz switching frequency, programmableup to 1 MHz
  • Internal soft-start and enable
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Overcurrent and thermal protection
  • HSOP8 package

Weiterführende Informationen

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L(µH)
IRP,40K(A)
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744778002
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.6 A

Anstehende PCN

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–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.6 A
Sättigungsstrom4.8 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
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744777002
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
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7447789002
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.6 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom5.6 A
–
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
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7447779002
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.2 A
–
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
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744778003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads10 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
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744777003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.85 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.85 A
Sättigungsstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
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7447789003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.9 A
–
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
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7447779003
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.75 A
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.75 A
–
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
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7447713082
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, –

Anstehende PCN

Aufgrund einer anstehenden PCN wird in Kürze eine Änderung am Bauteil durchgeführt. Anbei finden Sie die entsprechende PCN. Bei weiteren Fragen wenden Sie sich bitte an Ihren Vertriebsmitarbeiter.

Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität8.2 µH
–
Sättigungsstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
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7447713100
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität10 µH
–
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand62 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
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7447714100
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
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Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität10 µH
–
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20.5 MHz
Bauform1050 
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7447713150
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
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Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität15 µH
–
Sättigungsstrom3.4 A
Gleichstromwiderstand89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz
Bauform1030 
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7447714150
SPECWE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Verfügbarkeit
–
Downloads9 Dateien

Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
ProduktserieWE-PD SMT-Speicherdrossel
Induktivität15 µH
–
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz
Bauform1050 
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