IC-Hersteller STMicroelectronics

IC-Hersteller (103)

STMicroelectronics A7986A

3 A step-down switching regulato r for automotive applications

Details

TopologieDrahtlose Energieübertragung
Schaltfrequenz250-1000 kHz
IC-Revision8

Beschreibung

The A7986A is a step-down switching regulatorwith a 3.7 A (min.) current limited embeddedpower MOSFET, so it is able to deliver up to 3 Acurrent to the load depending on the applicationconditions.The input voltage can range from 4.5 V to 38 V,while the output voltage can be set starting from0.6 V to VIN.Requiring a minimum set of external components,the device includes an internal 250 kHz switchingfrequency oscillator that can be externallyadjusted up to 1 MHz.The HSOP8 package with exposed pad allowsthe reduction of Rth(JA) down to 40 °C/W.

Eigenschaften

AEC-Q100 qualified

  • 3 A DC output current
  • 4.5 V to 38 V input voltage
  • Output voltage adjustable from 0.6 V
  • 250 kHz switching frequency, programmableup to 1 MHz
  • Internal soft-start and enable
  • Low dropout operation: 100% duty cycle
  • Voltage feed-forward
  • Zero load current operation
  • Overcurrent and thermal protection
  • HSOP8 package

Weiterführende Informationen

Artikeldaten

Artikel Nr.
Daten­blatt
Simu­lation
Downloads
Status
Produktserie
L(µH)
IRP,40K(A)
ISAT(A)
RDC max.(mΩ)
fres(MHz)
Bauform
Version
Muster
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.6 A
Sättigungsstrom4.8 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.9 A
Sättigungsstrom6.5 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 5.6 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom5.6 A
Gleichstromwiderstand23 mΩ
Eigenresonanzfrequenz67 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 2.2 µH, 6.2 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität2.2 µH
Performance Nennstrom6.2 A
Gleichstromwiderstand20 mΩ
Eigenresonanzfrequenz60 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand32 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform7332 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.85 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.85 A
Sättigungsstrom4.6 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform7345 
VersionGestanzt 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.9 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.9 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz61 MHz
Bauform7332 
VersionRobust 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 3.3 µH, 4.75 A
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität3.3 µH
Performance Nennstrom4.75 A
Gleichstromwiderstand30 mΩ
Eigenresonanzfrequenz55 MHz
Bauform7345 
VersionRobust 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 8.2 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität8.2 µH
Sättigungsstrom4.7 A
Gleichstromwiderstand49 mΩ
Eigenresonanzfrequenz30 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand62 mΩ
Eigenresonanzfrequenz25 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 10 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität10 µH
Sättigungsstrom5 A
Gleichstromwiderstand27 mΩ
Eigenresonanzfrequenz20.5 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom3.4 A
Gleichstromwiderstand89 mΩ
Eigenresonanzfrequenz19.5 MHz
Bauform1030 
VersionPerformance 
WE-PD SMT-Speicherdrossel, 15 µH, –
Simu­lation
Status Aktivi| Produktion ist aktiv. Erwartete Lebenszeit: >10 Jahre.
Induktivität15 µH
Sättigungsstrom4.1 A
Gleichstromwiderstand43 mΩ
Eigenresonanzfrequenz16.8 MHz
Bauform1050 
VersionPerformance